一种双面ＰＳＤ器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种双面ＰＳＤ器件的制造方法，包括以下步骤：（１）基片选择；（２）初氧；（３）光刻保护环掩模层；（４）氧化扩散一；（５）光刻上电极区掩模层；（６）氧化扩散二；（７）光刻下电极区掩模层；（８）氧化扩散三；（９）光刻光敏区掩模层；（１０）氧化扩散四；（１１）光刻背面引线孔掩模层；（１２）光刻正面引线孔掩模层；（１３）正反面溅纯铝；（１４）光刻正面铝电极掩模层；（１５）光刻背面铝电极掩模层；（１６）去除正反面铝电极掩模层，然后合金，完成双面ＰＳＤ器件的制作。用本发明专利技术方法制作出的双面ＰＳＤ器件，具有很高的灵敏度、良好的瞬态响应特性，分辨率是单面ＰＳＤ器件分辨率的两倍，器件边缘的线性度也得到了较大提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别涉及一种双面PSD器件的制造方法。
技术介绍
PSD是一种新型光电检测器件，由P衬底、PIN光电二极管及表面电阻组成，其原理 是利用光照情况下光电二极管表面阻抗的变化来检测光斑的位置。通常，单面PSD器件是在同一面将两对电极设置在PN结的同一侧，且对称设置，采 用单面工艺加工制作，这种器件缺点是两对电极比较集中，相互影响比较明显，因此该种结 构的器件在对位置进行测试时线性度差，灵敏度较差。两电极在拐角处相互影响严重，边缘 失真大。一般制作的单面PSD器件的位置非线性度误差为20 μ m左右。
技术实现思路
本专利技术的目的是为解决单面PSD器件存在的两对电极比较集中、相互影响严重、 边缘失真大的缺陷，提供的一种双面高精度PSD器件的制作方法。本专利技术的目的是通过下述技术方案实现的一种双面PSD器件的制造方法，其特征在于包括以下步骤(1)、基片选择；(2)、初氧；(3)、光刻保护环掩模层；(4)、氧化扩散一a、对保护环部分注磷；b、去除保护环掩模层；C、经氧化，形成保护环；(5)、光刻上电极区掩模层；(6)、氧化扩散二a、对上电极区掩模层中的上电极区本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种双面ＰＳＤ器件的制造方法，其特征在于包括以下步骤：（１）、基片选择；（２）、初氧；（３）、光刻保护环掩模层（３）；（４）、氧化扩散一：ａ、对保护环部分注磷；ｂ、去除保护环掩模层（３）；ｃ、经氧化，形成保护环（４）；（５）、光刻上电极区掩模层（５）；（６）、氧化扩散二：ａ、对上电极区掩模层中的上电极区注硼；ｂ、去除上电极区掩模层（５）；ｃ、经氧化，形成一对上电极Ｐ区；（７）、光刻下电极区掩模层（６）；（８）、氧化扩散三：ａ、对下电极区掩模层中的下电极区注磷；ｂ、去除下电极区掩模层（６）；ｃ、经氧化，形成下电极Ｎ区；（９）、光刻光敏区掩模层（７）；（１０）、氧化扩散四：ａ、对光敏区掩模层中...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪继芳，余飞，刘善喜，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]