下载一种双面PSD器件的制造方法的技术资料

文档序号:5928079

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本发明涉及一种双面PSD器件的制造方法,包括以下步骤:(1)基片选择;(2)初氧;(3)光刻保护环掩模层;(4)氧化扩散一;(5)光刻上电极区掩模层;(6)氧化扩散二;(7)光刻下电极区掩模层;(8)氧化扩散三;(9)光刻光敏区掩模层;(1...
该专利属于华东光电集成器件研究所所有,仅供学习研究参考,未经过华东光电集成器件研究所授权不得商用。

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