【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供一种单晶硅圆的生产中一种在表面处理过程中在背面生长一层多晶 硅的方法，涉及半导体制造领域。
技术介绍
在单晶硅圆经过磨平和清洗之后，一般在单晶硅圆表面生长一定厚度的多晶硅作 为外吸杂层。利用多晶和单晶不同的热膨胀系数产生应力达到外部去瑕疵的目的，提升芯 片品质。目前，在进行背面多晶生长时公知的方法都是采用晶圆单片排列在晶舟上，在石英 炉管内进行多晶硅层生长，由于硅晶圆双面同时暴露于生长环境当中，再其两面会同时生 长多晶硅层。之后再将其中一面多晶硅层在抛光时抛除，只保留需要的一面。但是这种方 法一方面会浪费生长多晶硅层的原料和设备资源，另一方面会导致芯片在后续阶段抛光时 抛除量增加。
技术实现思路
为了克服现有背面生长多晶硅层方法一方面会浪费生长多晶硅层的原料和设备 资源、一方面会导致芯片在后续阶段抛光时抛除量增加的不足，本专利技术提供一种新的背面 生长多晶硅层的方法。本专利技术所采用的方案是采用齿口宽度增加的晶舟，在将晶圆排在晶舟上的时候， 改单片排列为双片排列，即每个晶舟的一个齿口里放两片贴合在一起的晶圆。这样，在石英 炉管里生长多晶硅层的时候，每片晶圆各自只有靠外面的一面会生长多晶硅层，而贴在一 起两面则不会生长多晶硅层。本专利技术的有益效果是在不改变石英炉管内各种参数指标，同时保证单晶硅圆背面 生长多晶硅层各项技术指标不下降的前提下，生产效率提高了一倍，同时节约了原料和设 备资源。具体实施例方式在单晶硅圆背面生长一层多晶硅的工艺中，使用齿口宽度合适的晶舟。在将晶圆 排在晶舟上的时候，采用双片排列方式，即每个晶舟的一个齿口里放两片贴合在一起...
【技术保护点】
一种在硅晶圆表面处理过程中背面生长一层多晶硅的方法，其特征在于在石英舟上排片时，采用每两片晶圆贴合在一起方式排列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡雪良，李汉生，
申请(专利权)人：昆山中辰矽晶有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]
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