【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种填充式半导体制冷激光温控装置。
技术介绍
为使倍频绿光激光器能够得到稳定输出的功率,一般采用半导体制冷技术,该技 术的研发方向是通过半导体制冷片进行温控。将808nm泵浦激光源和倍频晶体与外壳散 热部分进行热隔离,并采用半导体制冷片进行热源的处理,通过半导体制冷片的正、反相接 通,对808nm激光管进行制冷或制热。低温环境下,对激光管进行预热处理,可以快速达到 正常工作状态,当808nm激光管内环境温度达到一定值时,自动导相,进行制冷,使808nm激 光管内环境温度保持在一个合适的温度范围内。这种制冷装置能使激光器中工作的大功 率、大电流的泵浦激光源与激光晶体得到充分冷却,使得连续工作时间得到延长。若由温度 控制电路加以控制,则能确保晶体、激光管以及半导体制冷片不被损坏,且功率稳定性极大 的提升,并使得带有制冷装置激光器工作时的环境温度范围大大提高。在半导体制冷结构中,为使得制冷效果达到最佳,通常采取悬空半导体制冷系统。 将泵浦激光源和激光晶体作为组件后,悬空与半导体制冷片粘接在一起,使泵浦激光源和 激光晶体避免与散热部分接触,从而使得半导体制冷片的全部功效都作用于泵浦激光源和 激光晶体之上,大大的提高了制冷与升温的效果,以满足激光器可以在更宽温度的工作环 境下稳定输出功率。但在实验与使用工程中发现,泵浦激光源和激光晶体由于自身重量的原因,会出 现从半导体制冷片一端脱落的现象。而且更为重要的原因是半导体制冷片在极端温度环境 下工作时,上下两导热陶瓷间的温度差值非常大,也会出现制冷半导体与导热陶瓷间开裂 的现象。使得绿光倍频效率迅速降低,甚 ...
【技术保护点】
1.一种填充式半导体制冷激光温控装置,包括半导体制冷片,所述半导体制冷片包括上、下导热陶瓷和制冷半导体,所述制冷半导体设置在上、下导热陶瓷之间,其特征在于:所述上、下导热陶瓷之间设置有粘接层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:孙建华,袁磊,汪东,
申请(专利权)人:西安华科光电有限公司,
类型:实用新型
国别省市:87[中国|西安]
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