一种半导体激光阵列的微通道热沉装置制造方法及图纸

技术编号:5011214 阅读:249 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种半导体激光阵列的微通道热沉装置,属于激光光电子技术及其应用领域。本装置由导热性能良好的内部镂空的金属薄片热沉叠合封装构成,分别为传热层(5),微通道层(6),导流层(8),过流层(10),底板(14)。微通道层(6)中有m条宽度为d的微型通水沟道(7),并且相邻两微型通水沟道(7)之间的间距相等。微型通水沟道(7)与半导体激光阵列(12)的发光单元(13)按比例关系对应,达到了均匀冷却半导体激光阵列(12)的目的,提高了半导体激光阵列(12)的光束质量和寿命。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体激光阵列的微通道热沉装置,属于激光光电 子技术及其应用领域。
技术介绍
半导体激光阵列是实现高功率激光输出的有效技术途径,然而半导体激 光阵列的高密度封装将在小面积内产生大的热量,对整个器件的寿命、阈值 电流和发射波长的热偏移、以及长期稳定工作都产生负面影响。因此常采用 五层具有不同内部镂空结构的微通道热沉对半导体激光阵列进行强制对流冷 却,通过微通道里面的冷却液带走热量,如图1所示。而对于低填充因子的 半导体激光阵列,每个发光单元在半导体激光阵列上的热分布将更加集中, 当采用传统内部镂空结构的微通道热沉对半导体激光阵列进行强制对流冷却时,如图2所示,由于微通道热沉中微型通水沟道在半导体激光阵列慢轴方 向上排列不均匀,导致半导体激光阵列衬底各部位被冷却水带走的热量不一 致,而使半导体激光阵列衬底产生变形,即产生所谓的smile效应,从而降 低了半导体激光阵列的光束质量和縮短了半导体激光阵列的寿命。
技术实现思路
针对目前内部镂空结构的微通道热沉冷却半导体激光阵列所存在的上述 缺点,本技术提出了一种半导体激光阵列的微通道热沉装置。使用本热 沉装置进行冷却,能够使半导体激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光阵列的微通道热沉装置,该装置由多片内部镂空的矩形金属薄片热沉叠合封装构成,在其中的微通道层上设置有m个通水沟道;其特征在于:所述的m个通水沟道沿着发光单元的慢轴方向均匀分布。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王智勇尧舜刘江
申请(专利权)人:北京工业大学
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]

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