气体分布器制造技术

技术编号:5772380 阅读:412 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种沸腾炉式三氯氢硅反应器内的气体分布器。由喷板和喷嘴组成,喷嘴中有氯化氢通道,喷板上堆积硅粉,在喷板上每三个喷嘴按正三角形分布,喷嘴气体出口与氯化氢通道间呈40°-50°的夹角。本实用新型专利技术喷嘴在喷板上按正三角形分布,喷嘴气体出口与氯化氢通道间呈40°-50°的夹角,能更加有效分布气体,有效冲动硅粉,避免死角的形成;加大气体与硅粉的有效接触面积,提高硅粉的使用率;减少硅粉在气体分布器周围的总停留时间,减少硅粉在喷板上的堆积量,有效减少喷嘴的堵塞次数,减少检修工作量;气体与硅粉充分反应,传热效果更佳,反应温度稳定,减少副产品四氯化硅的生成。经生产证明,采用本实用新型专利技术,半成品含量能达到90%。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种沸腾炉式三氯氢硅反应器内的气体分布器
技术介绍
沸腾炉式三氯氢硅反应器内的气体分布器有对进料气流的分布作用,特别是对加 大进料气对硅粉层的冲击范围、提高气体与硅粉的接触面积作用明显。气体分布器由喷板 和喷嘴构成。沸腾炉内以往的气体分布器由喷板3和喷嘴4组成,喷嘴4由喷嘴螺纹8固定在 喷板3上。喷嘴4中有氯化氢通道5,喷板上堆积硅粉6,氯化氢通道5包括喷嘴下端的气 体进口 7、喷嘴侧上端的气体出口 9。在喷板3上每四个喷嘴按正方形分布(见图5),喷嘴 气体出口 9与气体进口 7间呈90°的夹角(见图4)。该气体分布器工作时,气体由气体进口 7顶端进入后,由氯化氢通道5上行,从喷 嘴气体出口 9顶端出来,对喷板上喷嘴周围堆积的硅粉6进行吹动。由于喷嘴气体出口 9与 气体进口 7垂直,喷嘴气体出口方向以下的硅粉很难吹动,容易形成死角,从而使硅粉堆积 形成死硅粉,降低了硅粉的使用率,三氯氢硅的产量低;而且容易造成硅粉堆积堵塞喷嘴, 检修工作量大,检修频繁。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述现状,旨在提供一种能有效冲动硅粉,避免死角形 成的气体分布器。本技术目的的实现方式为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.气体分布器,由喷板和喷嘴组成,喷嘴由喷嘴螺纹固定在喷板上,喷嘴中有氯化氢通道,喷板上堆积硅粉,其特征在于在氯化氢通道下端有气体进口、上端有气体出口,在喷板上每三个喷嘴按正三角形分布,喷嘴气体出口与气体进口呈40°-50°的夹角。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:石明胜闵运豪罗涛杨霖徐智
申请(专利权)人:湖北江钻天祥化工有限公司
类型:实用新型
国别省市:42[中国|湖北]

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