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三氯氢硅生产中提高反应均匀程度的流化床反应器制造技术

技术编号:5271279 阅读:204 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
三氯氢硅生产中提高反应均匀程度的流化床反应器,涉及一种三氯氢硅生产的大型流化床反应器。包括自上而下相互连接的气固分离段、反应段和封头段,气固分离段上部设有合成气体出口和安全释放口,反应段内设有加热装置,封头段上设有氯化氢进气口,其特征在于,所述反应段和封头段之间设有气体分布器,气体分布器上均设有气孔,各气孔上设有锥形气帽。本实用新型专利技术的三氯氢硅大型流化床反应器,在现有的流化床反应器结构上进行了大的改进,具有如下显著的效果:气体分布器的设置,使氯化氢气体均匀进入反应段内,使反应更加均匀。提高了氯化氢利用率以及硅粉的转化率。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化工领域的一种设备,特别是一种三氯氢硅生产的大型流化床反 应器。三氯氢硅(HSiC13)是一种用途非常广泛的有机硅单体,主要用于生产半导体硅、 单晶硅和多晶硅,广泛应用于国防、国防经济乃至人们日常生活的各个领域。三氯氢硅还是 生产硅烷偶联剂和其他有机硅化合物的重要原料。近年来,我国对三氯氢硅的需求量越来 越大。国内现有的三氯氢硅生产装置一般采用小型流化床反应器。其结构大多为筒形, 上部直径扩大部分是气固相分离段,该段高有出料口,中部的直筒段是反应段,反应段外包 加热器,上部设有硅粉进料口,底部连接下封头,下封头上有氯化氢进气口。其存在的主要 缺点是硅粉量与氯化氢气体量不匹配,氯化氢气体分布不均勻,造成硅粉转化率低、氯化 氢利用率低。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题,本技术的目的在于,提供一种反应均勻的三氯氢 硅生产用大型流化床反应器。为了实现上述目的,本技术采取如下技术方案本技术包括自上而下相 互连接的气固分离段、反应段和封头段,气固分离段上部设有合成气体出口和安全释放口, 反应段内设有加热装置,封头段上设有氯化氢进气口,反应段下部设有硅粉进料口,所述反 应段和封头段之本文档来自技高网...

【技术保护点】
三氯氢硅流化床反应器,包括自上而下相互连接的气固分离段、反应段和封头段,气固分离段上部设有合成气体出口和安全释放口,反应段内设有加热装置,封头段上设有氯化氢进气口,其特征在于,所述反应段和封头段之间设有气体分布器,气体分布器上均设有气孔,各气孔上设有锥形气帽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:倪云达
申请(专利权)人:倪云达
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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