利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池制造技术

技术编号:5691489 阅读:200 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池,包括P型衬底层,P型衬底层一侧设置绒面N型层,在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结,P型衬底层另一侧设置P↑[+]层,在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层,在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线,在P↑[+]层外侧设置铝浆层,在铝浆层表面设置背电极,P↑[+]层的厚度为5~10μm。本实用新型专利技术结构合理,电池效率比共烧工艺制造的提高0.25-0.6%,本实用新型专利技术适合于规模化生产。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池
本技术涉及一种晶硅太阳电池。技术背景-人类的发展将面临着常规能源的短缺和温室效应严重挑战,二次能 源,太阳能发电将有可能成为重要的替代能源。目前晶硅太阳电池推广 应用的主要障碍是效率偏低,成本高。提高效率降低成本,是广大科技 工作者的神圣职责。目前国内外晶硅太阳电池在丝网印刷烧结工艺中都采用一次共烧 工艺,在一次烧结中要圆满完成多种任务正面电极、背面电极形成良 好的欧姆接触;氮化硅薄膜对晶体缺陷和衬底重金属粒子形成良好的钝 化;铝背场在电池的背面形成P+层的最佳厚度,对衬底具有良好的吸杂 作用。(随着硅片越来越薄,吸杂效果也越来越明显,效率提高的幅度 也越大)为完成多种任务,选择烧结工艺为最佳折衷方案。实践中发现, 一次烧结产品还存在着一些不足。
技术实现思路
.-本技术的目的在于提供一种结构合理,工作效率高的利用烧结 炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池。 本技术的技术解决方案是一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的才晶硅太阳电池,其特征是包括P型衬底层,P型衬底层一侧设置绒面N型层,在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的才晶硅太阳电池,其特征是:包括P型衬底层,P型衬底层一侧设置绒面N型层,在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结,P型衬底层另一侧设置P↑[+]层,在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层,在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线,在P↑[+]层外侧设置铝浆层,在铝浆层表面设置背电极,P↑[+]层的厚度为5~10μm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:傅建奇高周妙王栩生王玉亭吴现实
申请(专利权)人:江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司江苏林洋新能源有限公司
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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