液晶显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种液晶显示面板，包括一彩膜基板：包括第一基底，所述第一基底上形成有共通电极；一阵列基板：包括第二基底，所述第二基底上依次形成有第一金属层，栅极绝缘层，钝化层以及像素电极，所述第一金属层上形成有栅极和公共电极；其中，所述阵列基板上还形成有压电层，所述压电层位于所述公共电极的上方。本实用新型专利技术提供的液晶显示面板可以补偿储存电容，提高画面显示品质。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种液晶显示面板，尤其涉及一种能改善画面显示品质的液 晶显示面板。
技术介绍
液晶显示器(liquid crystal display, LCD)是目前最被广泛使用的一种平 面显示器，具有低功耗、外型薄、重量轻以及低驱动电压等特征。 一般而言，LCD 的显示区域包含多个子像素区域，每个子像素区域一般为两条栅极线(gate line, 又称扫描线)与两条数据线(data line)交叉所定义的矩形或者其他形状区域， 其内设置有薄膜晶体管(TFT)以及像素电极，薄膜晶体管充当开关元件。通过在 像素中设置TFT形成有源矩阵液晶显示器，适合大画面、高分辨率、多灰度的液 晶显示元件。图1为一现有技术的液晶显示面板的结构示意图。该液晶显示面板包括一阵 列基板110、一与该阵列基板相对设置的彩膜基板120和一位于该两个基板之间的 液晶层130、 一扫描驱动电路(未示出)和一数据驱动电路(未示出)。该阵列基板IIO包括一第一基底111， 一栅极绝缘层112， 一钝化层113，由 多个栅极115、源极116和漏极117构成的多个薄膜晶体管，多个像素电极114和 多个公共电极118。其中多个像素电极114、多个公共电极118及其间的栅极绝缘 层112和钝化层113共同构成多个储存电容Cs。该彩膜基板包括一第二基底121和一共通电极122。该阵列基板110和该彩膜基板120的公共电极电连接，阵列基板的像素电极 114、彩膜基板的共通电极122及位于其间的液晶分子130共同构成液晶电容CLC。请一并参阅图2，是该液晶显示面板中一像素单元的等效电路图。其中相邻两 条栅极线Gn、 Gn+1和相邻两条数据线Dn、 Dn+1交叉所限定的区域为该像素区。 Cgd为该薄膜晶体管的栅极115与漏极117之间的寄生电容，COM为公共电极。薄膜晶体管的寄生电容Cgd会在该薄膜晶体管关闭时，产生一馈通电压(Feed-through Voltage, VFD)到该像素电极，使该像素电极的电压发生扭曲。 该馈通电压VFD可表示为L = ^~~△「 其中AV为晶体管打开与关闭时栅极上电压的变化。该馈通电压使该像素电极的电压下降，目前一般采用下调公共电压的方法来 克服该像素电极的电压下降。然而，由于液晶分子的介电常数随着其两端电压的 增大而增大，因而液晶电容CLC的电容值会随着其两端电压的增大而增大，使得 不同灰阶下的VFD大小不同，从而使得该公共电压的下调量无法确定。目前，该 公共电压的下调量是通过一中间灰阶电压产生的VFD而确定，该下调量并不能符 合中间灰阶以外的其它灰阶，导致该液晶面板的画面品质较差。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板，可以补偿储存电 容，提高画面显示品质。本技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种液晶显示面 板，包括一彩膜基板包括第一基底，所述第一基底上形成有共通电极；一阵列基板包括第二基底，所述第二基底上依次形成有第一金属层，栅极绝缘 层，钝化层以及像素电极，所述第一金属层上形成有栅极和公共电极；其中，所述阵列基板上还形成有压电层，所述压电层位于所述公共电极的上方。 上述的液晶显示面板，其中，所述压电层位于第一金属层和栅极绝缘层间。 上述的液晶显示面板，其中，所述压电层位于栅极绝缘层和钝化层间。 上述的液晶显示面板，其中，所述压电层位于钝化层和像素电极间。 上述的液晶显示面板，其中，所述压电材料为压电陶瓷、强介铁电陶瓷或压电 高分子。本技术对比现有技术有如下的有益效果本技术提供的液晶显示面板， 由于在公共电极的上方形成有压电层，相当于在现有储存电容上又串联了一个补偿 电容，该补偿电容的电容值随着该像素电极和该公共电极之间电压差的增大而减小，因此该补偿电容可减小液晶电容CLC随电压差的变化量，从而使不同灰阶电压产生的 馈通电压VFD基本相同，进而可确定该公共电压Vcom的下调量，提高画面显示品质。附图说明图1是一种现有技术的液晶显示面板的结构示意图。图2是图1所示液晶显示面板中一像素单元的等效电路图。图3是本专利技术第一实例中阵列基板的结构示意图。图4是图3所示液晶显示面板中一像素单元的等效电路图。图5是本专利技术第二实例中阵列基板的结构示意图。图6是本专利技术第三实例中阵列基板的结构示意图。图中110阵列基板111第一基底112栅极绝缘层113钝化层114像素电极115栅极116源极117漏极118公共电极120彩膜基板121第二基底122共通电极130液晶分子Clc液晶电容Cs储存电容Cp补偿电容Cgd寄生电容310阵列基板311第一基底312栅极绝缘层313钝化层314像素电极315栅极316源极317漏极318公共电极319压电层510阵列基板511第一基底512栅极绝缘层513钝化层514像素电极515栅极516源极517漏极518公共电极519压电层610阵列基板611第一基底612栅极绝缘层613钝化层614像素电极615栅极616源极617漏极618公共电极619压电层具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术作进一步的描述。 图3是本专利技术第一实例中阵列基板的结构示意图。请参见图3，本实施例中液晶显示面板的阵列基板310包括一第一基底311， 一 栅极绝缘层312， 一钝化层313， 一压电层319，由多个栅极315、源极316和漏极317 构成的多个薄膜晶体管，多个像素电极314和多个公共电极318。该压电层319位于 该公共电极318和该栅极绝缘层312之间。该像素电极314、该公共电极318和位于 其间的压电层319、栅极绝缘层312和钝化层313构成多个串联的补偿电容和储存电 容。该压电层319的材料可以为压电陶瓷、强介铁电陶瓷或压电高分子。该压电层319 的介电常数随着该像素电极314和该公共电极318之间电压差的增大而减小，使该补 偿电容的电容值随着该像素电极和该公共电极之间电压差的增大而减小。图4是图3所示液晶显示面板中一像素单元的等效电路图，请继续参见图4，是该液晶显示中一像素单元的等效电路图。其中相邻两条栅极线Gn、 Gn+1和相邻两条数 据线Dn、 Dn+1交叉所限定的区域为该像素区。CLC表示液晶电容，Cp表示补偿电容， Cs表示储存电容，Cgd表示该薄膜晶体管的栅极315与漏极317之间的寄生电容。 该薄膜晶体管在关闭时产生的馈通电压VFD可表示为Kro 1 "FiC 1/C"l/Q 其中AV为晶体管打开与关闭时栅极上电压的变化。相较于现有技术，该阵列基板310进一步包括与该储存电容Cs串联的补偿电容 Cp，该补偿电容的电容值随着该像素电极314和该公共电极318之间电压差的增大而 减小。由于该液晶电容CLC的电容值随着该像素电极314和公共电极318之间电压差 的增大而增大，因此该补偿电容Cp可减小该液晶电容CLC随电压差的变化量，且通过 选择该压电层319的材料可使Cp、 Cs、 CLC的总电容值在电压差变化时基本保持不变， 从而使不同灰阶电压产生的馈通电压VFD基本相同，进而可确定该公共电压Vcom的下 调量，提高液晶显示面板的画面显示品质。图5是本专利技术第二实例中阵列基板的结构示意图。请参见图5，实施例二和实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
液晶显示面板，包括：　一彩膜基板：包括第一基底，所述第一基底上形成有共通电极；　一阵列基板：包括第二基底，所述第二基底上依次形成有第一金属层，栅极绝缘层，钝化层以及像素电极，所述第一金属层上形成有栅极和公共电极；　其特征在 于，所述阵列基板上还形成有压电层，所述压电层位于所述公共电极的上方。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦丹丹，
申请(专利权)人：上海广电光电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]