本发明专利技术涉及用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：选通线；栅绝缘层；第一和第二数据线；第一薄膜晶体管（ＴＦＴ），连接到第一数据线；第二ＴＦＴ，连接到第二数据线；钝化层；第一图案，连接到第一ＴＦＴ并且沿选通线延伸；彼此分离的多个第一电极，连接到第一图案并且与第一和第二数据线平行；第二图案，以与第一图案平行的方式延伸；第二电极，沿第一数据线延伸并且与第一数据线分离第一距离；第三电极，连接到第二图案并且沿第二数据线延伸，该第三电极连接到第二ＴＦＴ并且与第二数据线分离第二距离；以及多个第四电极，连接到第二图案并且与多个第一电极交替排列，其中多个第一电极和多个第四电极置于第二与第三电极之间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于面内切换(IPS)模式液晶显示(LCD)装置的阵列 基板，尤其涉及用于具有提高的孔径比的IPS模式LCD装置的阵列基板。
技术介绍
本申请要求2008年6月13日提交的韩国专利申请No. 2008-0055903 的优先权，在此以引证的方式并入。现有技术液晶显示(LCD)装置使用液晶分子的光学各向异性和极 化性质。由于液晶分子具有细长形状，所以液晶分子具有确定的取向方 向。通过施加横跨液晶分子的电场能够控制液晶分子的取向方向。换句 话说，随着电场的强度或方向改变，液晶分子的取向也改变。由于入射 光根据由液晶分子的光学各向异性产生的液晶分子的取向(orientation) 发生折射，因此通过控制透光率能够显示图像。由于包括薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的LCD装置(称为有源 矩阵LCD (AM-LCD)装置)在高分辨率以及显示运动图像方面具有卓 越特征，因此已经广泛使用AM-LCD装置。AM-LCD装置包括阵列基板、滤色基板和夹在它们之间的液晶层。 阵列基板可包括像素电极和TFT，滤色基板可包括滤色层和公共电极。 AM-LCD装置由像素电极与公共电极之间的电场驱动，从而在透射比和 孔径比方面具有优异的性质。然而，由于AM-LCD装置使用垂直电场， 因此AM-LCD装置具有不良视角。面内切换(IPS)模式LCD装置可用来解决上述限制。图1是相关 技术IPS模式LCD装置的截面图。如图1所示，相关技术IPS模式LCD 装置包括彼此分离并面对的阵列基板和滤色基板。阵列基板包括第 一基 板10、公共电极17和像素电极30。虽然未示出，但是阵列基板可包括TFT、'选通线、数据线等。滤色基板包括第二基板9、滤色层(未示出) 等。在第一基板10与第二基板9之间夹有液晶层11。由于公共电极17 和像素电极30形成在第一基板10的相同水平面上，因此在公共电极17 与像素电极30之间产生水平电场"L"。图2A和2B是表示相关技术IPS模式LCD装置的开/关情况截面图。 如图2A所示，当向IPS模式LCD装置施加电压时，公共电极17与像素 电极30上方的液晶分子lla不发生改变。但是，公共电极17与像素电 极30之间的液晶分子l]b由于水平电场"L"的作用水平地排列。由于 液晶分子11通过水平电场"L"排列，因此IPS模式LCD装置的特点是 视角广。例如，IPS模式LCD装置具有大约80度到大约85度的视角， 并且没有图像反转或颜色反转。图2B表示当不向IPS模式LCD装置施加电压时的情形。因为在公 共电极17与像素电极30之间没有产生电场，所以液晶分子11的排列不 会改变。图3是用于相关技术IPS模式LCD装置的阵列基板的一部分的平面 图。在图3中，阵列基板40包括选通线43、公共线47、数据线60、多 个公共电极49a和49b、多个像素电极70和薄膜晶体管(TFT) Tr。选通 线43沿第一方向延伸，公共线47与选通线43平行。数据线60沿与第 一方向不同的第二方向延伸，以与选通线43和公共线47交叉。特定地， 选通线43和数据线60的交叉限定像素区P。在选通线43与数据线60的交叉部分设置有TFTTr。 TFTTr包括栅 极45、半导体层50、源极53和漏极55。源极53从数据线60延伸出来， 而栅极45从选通线43延伸出来。像素电极70通过漏极接触孔67连接 到漏极55并且设置于像素区P中。公共电极49a和49b与像素电极70 交替排列，并且从公共线47延伸出来。公共电极包括第一公共电极49a和第二公共电极49b。第二公共电极 49b设置于第一公共电极49a之间，而每个第--公共电极49a设置为与数 据线60相邻。在此情况下，第一公共电极49a与数据线60分幵预定距 离。通过横跨像素区P的公共线47向公共电极49a和49b施加公共电压，致的公共电压之间的不同进行附加补偿或调整(tuning)。因此，'制造成本增加并且制造工艺复杂。此外，由于第一公共电极49a与数据线60分离以防止第一公共电极 49a与数据线60之间的信号干扰，因此IPS模式LCD装置的孔径比降低。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于能够基本上避免由于相关技术的限制和缺点引 起的一个或更多个问题的IPS模式LCD装置的阵列基板。本专利技术的附加特征和优点将在下面的说明中加以阐述，并且通过说 明将部分地变得清楚，或者可以通过对本专利技术的实施而获知。通过在文 字说明及其权利要求以及附图中具体指出的结构可以认识并实现本专利技术 的目标和其他优点。为了实现这些目的和其他优点，并且根据本文中所具体体现和广泛 描述的专利技术宗旨，提供了一种用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基 板，该阵列基板包括选通线，该选通线位于基板；栅绝缘层，该栅绝 缘层位于选通线上；第一和第二数据线，该第一和第二数据线位于栅绝 缘层上并且与选通线交叉以限定像素区；第一薄膜晶体管(TFT)，该第 一薄膜晶体管位于像素区中并且连接到选通线和第一数据线；第二 TFT，该第二TFT位于像素区中并且连接到选通线和第二数据线钝化层，该 钝化层位于第一和第二数据线以及第一和第二TFT上；第一图案，该第 一图案连接到第一 TFT并且沿选通线延伸；连接到第--图案并且彼此分 离的多个第一电极，该多个第一电极与第一和第二数据线平行；第二图 案，该第二图案以与第一图案平行的方式延伸；第二电极，该第二电极 沿第--数据线延伸并且与第一数据线分离第一距离；第三电极，该第三 电极连接到第二图案并且沿第二数据线延伸，所述第三电极连接到第二 TFT并且与第二数据线分离第二距离；多个第四电极，该多个第四电极 连接到第二图案并且与多个第一电极交替排列，其中多个第一电极和多 个第四电极置于第二与第三电极之间。应当理解前述一般描述和以下详细描述是示例性的和解释性的，并且旨在对所要求保护的本专利技术提供进一步说明。 附图说明附图被包括进来以提供对本专利技术的进一步理解，并且被并入并构成本申请的一部分，附图例示了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于 解释本专利技术的原理。图1是相关技术IPS模式LCD装置的截面图；图2A和2B是表示相关技术IPS模式LCD装置的开/关情况的截面图；图3是用于相关技术IPS模式LCD装置的阵列基板的一部分的平面图；图4是示出根据本专利技术第一实施方式的用于IPS模式LCD装置的阵 列基梭的一个像素区的示意性平面图；图5是沿图4中的线V-V提取的截面图； 图6是沿图4中的线VI-VI提取的截面图； 图7是沿图4中的线VII-VII提取的截面图；图8是示出根据本专利技术第二实施方式的用于IPS模式LCD装置的阵列基板的一个像素区的示意性平面图；图9是沿图8中的线IX-IX提取的截面图；图10是沿图8中的线X-X提取的截面图；图11是沿图8中的线XI-XI提取的截面图；以及图12是示出根据本专利技术第三实施方式的用于IPS模式LCD装W的 阵列基板的一个像素区的示意性平面图。具体实施方式下面将详细说明本专利技术的实施方式，其多个实施例被例示在附图中。 图4是示出根据本专利技术第一实施方式的用于IPS模式LCD装置的阵 列基板的一个像素区的示133a和133b。第一和第二数据线133a和133b的每个与第一和第二选通 线105a和本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括： 选通线，该选通线位于基板上； 栅绝缘层，该栅绝缘层位于所述选通线上； 第一数据线和第二数据线，该第一数据线和第二数据线位于所述栅绝缘层上并且与所述选通线交叉以 限定像素区； 第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管位于所述像素区中并且连接到所述选通线和所述第一数据线； 第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管位于所述像素区中并且连接到所述选通线和所述第二数据线； 钝化层，该钝化层位于所述第一数据 线和所述第二二数据线以及所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上； 第一图案，该第一图案连接到所述第一薄膜晶体管并且沿所述选通线延伸； 多个第一电极，该多个第一电极连接到所述第一图案并且彼此分离，所述多个第一电极与所述第一数据线 和所述第二数据线平行； 第二图案，该第二图案以与所述第一图案平行的方式延伸； 第二电极，该第二电极沿所述第一数据线延伸并且与所述第一数据线分离第一距离； 第三电极，该第三电极连接到所述第二图案并且沿所述第二数据线延伸，所述 第三电极连接到所述第二薄膜晶体管并且与所述第二数据线分离第二距离；以及 多个第四电极，该多个第四电极连接到所述第二图案并且与所述多个第一电极交替地排列， 其中，所述多个第一电极和所述多个第四电极设置于所述第二电极和所述第三电极之 间。...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑英敃，李树雄，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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