多畴垂直取向型液晶显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种多畴垂直取向型液晶显示装置，包括相对设置的第一基板和第二基板；一液晶层，填充在第一基板和第二基板之间；所述第一基板上形成有像素电极；所述第二基板上形成有公共透明电极；其中，所述像素电极包括部分叠置的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极电性隔绝，其间设置有绝缘膜。本实用新型专利技术提供的多畴垂直取向型液晶显示装置，既能通过电容耦合实现多畴显示，又不影响开口率。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种液晶显示装置，特别是涉及一种多畴垂直取向型 (Multi-domain Vertical Alignment)液晶显示装置。
技术介绍
随着液晶平板显示技术的发展，大尺寸液晶显示器件越来越被广泛的应用。 高端液晶显示器正向着高对比、广视角、快速动态响应、广色域等方向发展。目前使用比较广泛的广视角显示模式有多区域垂直排列型(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)和面内切换模式(In Plane Switch, IPS)两种模式。在垂直排列液晶显示器中，使用负性液晶来构成液晶单元。参考美国实用新 型6661488B1，如图1A所示，液晶像素第一基板101与第二基板104在不施加电 压的情况下，液晶分子106垂直于基板排列。电信号可以分别通过第一基板101 与第二基板104上面的公共透明电极102与像素电极103施加。在施加电压的情 况下，液晶分子106趋向于垂直于电场方向排列，从而偏离垂直于基板的方向。具 体偏转角度跟所施加偏压大小有关，如图1B所示。如此通过施加电压信号实现对 液晶分子的调制，改变液晶像素的光透过特性，实现图像的显示。当液晶分子倾斜一定角度的时候，从不同角度将会观察到不同的显示效果， 这就是液晶显示装置的视角问题。为解决视角问题，多种技术被开发出来。其中， 垂直取向液晶中通过在像素中设计出倾斜角度不同的子区域(畴)，像素的显示 特性是其中的各个畴在空间上积分平均的效果。这样，从不同角度观察液晶显示 器件时看到的差别减小，视角得以改善。如图1C所示，扫描电极线108和信号电 极线109相交处形成有液晶像素100，其包括像素电极103和有源元件(如TFT)， 像素电极103具有多个狭缝107，且像素龟极103连接有源元件。位于第一基板 101上的突起105以及狭缝107可以影响像素电极103与公共透明电极102之间的 电场分布，进而可使液晶层中液晶分子呈多方向排列，像素100内的液晶倾斜状 况被分为四个畴A， B， C， D。为进一步改善视角，降低色偏的现象，上述液晶像素内与TFT连接的透明电极还可以进一步分割成不同的区域，在不同区域施加不同的电压，使液晶分子106 倾斜程度不一样，分别处于第一倾斜状态201与第二倾斜状态202两种倾斜状态， 如图2所示。这样就增加液晶显示畴数，实现多畴显示，从而进一步改善视角特 性。现有技术有采用电容耦合实现这种多畴技术。图3A是现有电容耦合方式的等 效电路图。CLC1和CLC2分别为第一像素区和第二像素区等效液晶电容。如图3A 所示，第二像素电极不直接与TFT相连，而是通过一耦合电容Ccp与第一像素电 极连接。因采用电容耦合，第二像素电极的电压要低于第一电极，从而形成多畴 概念。图3B为电容耦合技术在阵列基板上实现的一实施例。像素电极303被狭缝 305分割为两部分P1和P2，分别为第一像素电极和第二像素电极。第一像素电极 Pl的两个区块通过连接电极307电性连接。第二像素电极P2的三个区块通过连接 电极308电性连接。而连接电极307与308制作在与信号电极线304相同的金属 层上，并通过接触孔309、 310、 311、 312与像素电极连接。图3C为图3B中沿A-A， 的剖面图。如图所示，313为透明基板，314为栅极绝缘膜，307为连接电极，在 连接电极上覆盖有保护膜315，保护膜315上开有接触孔309、 310，保护膜315 上再覆盖像素电极303。两块第一像素电极Pl通过连接电极307电性连接，而第 二像素电极因狭缝305的分割而与Pl电性上不连接。P2与连接电极307之间面积 上重叠，中间夹有一层绝缘膜，形成一电容。而连接电极307与P1电性连接，因 此可看作P1与P2之间存在一耦合电容。所以，连接电极也可看作是P1与P2之 间的耦合电极。但目前的电容耦合技术通常是在形成第二导电金属的同时形成的 电容耦合层，因此电容耦合层为不透光的金属，这导致像素区可透光的部分降低， 从而降低像素的开口率，这导致制造成本的上升。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种多畴垂直取向型的液晶显示装 置，既能通过电容耦合实现多畴显示，又不影响开口率。本技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种多畴垂直取向 型的液晶显示装置，包括相对设置的第一基板和第二基板；一液晶层，填充在第一基板和第二基板之间； 所述第一基板上形成有像素电极； 所述第二基板上形成有公共透明电极；其中，所述像素电极包括部分叠置的第一像素电极和第二像素电极，所述第 一像素电极和所述第二像素电极电性隔绝，其间设置有绝缘膜。上述的多畴垂直取向型的液晶显示装置，其中，所述像素电极上形成有突起 或者狭缝。本技术对比现有技术有如下的有益效果本技术提供的多畴垂直取 向型的液晶显示装置，所述第一像素电极和第二像素电极面积上部分重叠，电性 隔绝，因而产生耦合电容，形成多畴显示。采用透明的像素电极作为耦合电极， 不影响开口率。附图说明图1A是现有MVA不加电压的示意图。图1B是现有MVA施加电压的示意图。图1C是现有4畴MVA不加电压的示意图。图2是现有MVA施加不同电压时液晶的倾倒状态示意图。图3A是现有电容耦合方式的等效电路图。图3B是现有电容耦合方式的结构示意图。图3C为图3B中沿A-A，方向的剖面图。图4A是本技术阵列基板的俯视图。图4B为沿图4A中A-A，方向的截面图。图5是本技术第二实施例中阵列基板的截面图。图6是本技术第三实施例的制作流程图。图中101第一基板 104第二基板 107狭缝 123绝缘层102公共透明电极 105突起 108扫描电极线 201第一倾斜状态103像素电极 106液晶分子 109信号电极线 202第二倾斜状态扫描电极线302接触孔303像素电极304信号电极线305狭缝306公共电极307，308连接电极309，301， 311， 312接触孔313透明基板314栅极绝缘层315钝化层401扫描电极线402第一像素电极403狭缝据公共电极405第二像素电极406信号电极线407薄膜晶体管棚透明基板409栅极绝缘层410钝化层411绝缘膜具体实施方式以下结合附图及典型实施例对本技术作进一步说明。 实施例一图4A是本技术阵列基板的俯视图，图4B为沿图4A中A-A'方向的截面 图。请参见图4A，本技术所述液晶显示装置包括第一基板(又称阵列基板， 图未示)和第二基板(又称彩膜基板，图未示)；第一基板与第二基板之间设置 有液晶层(图未示)；所述第一基板上相互交叉并限定子像素区域的扫描电极线 401和信号电极线406;由扫描电极线401控制打开一薄膜晶体管开关407，信号 电极线406通过该开关对第一像素电极402进行充电；在所述第一基板上同时制 作有第二像素电极405，该电极在电性上与第一像素电极402无直接连接，且不与 薄膜晶体管相连，但在面积上与第一像素电极402有重叠部分；在阵列基板上还 制作有存储电极404。请继续参见图4B，本实施例中的透明基板408上依次形成有栅极、栅极绝缘 层408、半导体层、漏/源极、钝化层410，第一像素电极402，绝缘膜411本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多畴垂直取向型液晶显示装置，包括：　相对设置的第一基板和第二基板；　一液晶层，填充在第一基板和第二基板之间；　所述第一基板上形成有像素电极；　所述第二基板上形成有公共透明电极；　其特征在于，所述像素电极包括部分叠置的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极电性隔绝，其间设置有绝缘膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆海峰，陈钢，
申请(专利权)人：上海广电光电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[]