【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术涉及一种半导体组件的制程方法，特别涉及一种制造覆晶 于半导体组件封装的晶圆级无凸块式方法。现有技术的覆晶封装方法为在基板上将一具有凸块的半导体晶 粒连接至焊盘布局上，此凸块可由锡或金所构成，且其先形成在半导 体晶粒的导电焊垫上，而后再利用加热与加压的方式使半导体晶粒与 基板可由凸块以相互连接，而依据不同的需求，可将具有流动性的物 质应用在介于半导体晶粒与基板之间的凹洞中，以改善半导体晶粒与 基板之间连接的机械力。现有技术的覆晶技术已使用来制造封装于导线架上的低接脚(low pin count)半导体组件中，如美国专利第5， 817， 540号中所公 开的方法， 一般而言，其包括覆装一晶粒于一导线架上，并由凸块做 为内连接，而硅晶圆片可为预先形成凸块并先经过切割，经由分离的 晶粒，可直接将具有凸块的晶粒覆装于相对应的导线架上，利用锡回 焊以连接晶粒与导线架，当锡凸块未被用以做为内连接时，可使用导 电涂料或是导电填充环氧树脂以取代；在晶粒与导电架连接后，可使 用一介电层或是一垫料材料以覆盖在晶粒与导电架之间的沟槽中，以 避免短路并可提供晶粒与导电架之间...
【技术保护点】
一种制造覆晶于半导体组件封装的晶圆级无凸块式方法，其特征在于，该方法包括下列步骤： 涂布一防焊漆于一半导体晶粒的硅芯片的前侧表面上； 利用涂布该防焊漆以形成若干栅极接触窗与若干源极接触窗； 依据若干目标凹涡区域以将一导线架进行图案化； 于该些目标凹涡区域上形成若干凹涡，且该目标凹涡区域相对于若干该栅极接触窗与若干该源极接触窗； 将一导电环氧树脂印刷于该导线架上的该凹涡中； 将该导线架与该半导体晶粒的硅芯片一同进行固化；及 切割该半导体晶粒的硅芯片以形成半导体组件封装。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙明，龚德梅，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：BM[百慕大]
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