用于封装半导体的方法技术

提供了一种封装半导体的方法，以允许均匀涂覆晶片粘着焊膏，缩短Ｂ－阶段处理时间，以及提高晶片拾取特性和晶片粘着特性。该方法包括制备具有１，５００～１００，０００ｃｐｓ粘性的晶片粘着焊膏；旋转晶圆，并且将所述晶片粘着焊膏涂敷至所述晶圆的上表面达到一预定厚度；然后将涂敷到所述晶圆上的焊膏作Ｂ－阶段处理。该方法使得可以通过替换ＷＢＬ（晶圆背面层压）薄膜来降低成本，将晶片粘着焊膏均匀地涂敷至晶圆，并通过调整所排出焊膏的粘性和剂量以及旋涂仪的速度，自由地控制所涂敷的晶片粘着焊膏的厚度，以及也通过减少Ｂ－阶段处理时间缩短工艺时间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，更具体而言，涉及这样 一种，该方法可允许均匀涂抹晶片粘着焊膏、缩短B -阶段处理时间，以及改进晶片拾取特性和晶片粘着特性。
技术介绍
在半导体封装工艺中，无溶剂或者包含溶剂的液体、液体焊膏或 者固体薄膜被典型地用作适宜的粘合剂。固体薄膜显示出良好的可塑 性，并且在晶片粘着工艺中，有利地显示出其相对于热量和压力没有 或者最小的渗漏现象。另外，固体薄膜是有利的，因为，粘合层，即， 芯片的倾斜(Ult)和存在于芯片和PCB之间的界面中的粘合剂的厚 度在晶片粘着工艺之后可被轻易控制。在使用液体焊膏粘合剂的常规半导体封装工艺中，在焊膏从A阶 段直接被熟化到C阶段的情况下，使用撒布(dispensing)进行涂覆 工艺。这种涂覆方法不能实现均匀控制焊膏的厚度和面积。因此，这 种方法不适于在芯片和PCB之间涂敷厚的焊膏。与此同时，在焊膏从 A阶段经过B阶段被熟化到C阶段的情况下，使用丝网印刷进行涂覆 工艺。这种丝网印刷在控制将被涂敷的焊膏的厚度和面积方面是有利 的，但不利的是，涂敷到PCB上的焊膏的厚度是被不规则控制的，而 非以固体薄膜形式的粘合剂。另外，液体焊膏的不规则厚度在B阶段 之后仍被保持，从而可能在晶片粘着工艺中导致芯片和PCB之间的倾 斜。此外，导致焊膏从芯片中泄漏的熔体流动现象也可能变得更严重。 在将B-阶段处理型焊膏用于常规封装工艺中的情况下，热量主要被用 于B-阶段处理工艺。因此，在该工艺中半导体应被长时间暴露至高温 和高热下，从而可能发生PCB热变形，这可能会导致在B-阶段处理工 艺之后的芯片粘着工艺过程中的劣质问题。专利技术内容3技术问题因此，在相关领域中已不断做出了许多努力以解决上述问题，本 专利技术即在这种技术环境下被设计出。本专利技术致力于在半导体封装工艺中均匀地涂敷焊膏至晶圆，通过减少B-阶段处理所需的时间来缩短工艺时间，以及防止PCB和晶圆产 生热变形，本专利技术的一个目的在于，提供一种可以实现上述目标的用 于封装半导体的方法。技术方案为了实现上述目标，本专利技术提供了一种， 该方法包括制备具有l， 500 ~100， 000cps粘性的晶片粘着焊膏；旋转 晶圆并且将所述晶片粘着焊膏涂敷至晶圆的上表面达到 一预定厚度； 以及对涂敷到晶圆上的焊膏作B-阶段处理。所述B-阶段处理步骤可以如下方式进行，以40 200"C热干燥所 涂敷的焊膏；以40 200X:热干燥所涂敷的焊膏，然后对其照射以基 于UV A波段的100mJ/cm2 ~ 6 J/cm2的紫外线(UV );或者首先以40~ 200 。C热干燥所涂敷的焊膏，然后对其照射以基于UV A波段的 100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的紫外线(UV),然后再以40 ~ 2001C二次热干燥 所述晶圆。另外，所述B-阶段处理步骤可以如下方式进行，向所涂敷 的焊膏照射以基于UV A波段的100mJ/cm2 6J/ci^的紫外线(UV ); 或者向所涂敷的焊膏照射以基于UV A波段的100mJ/cm2 6J/cm2的紫 外线(UV)，然后在UV照射步骤之后，以40 2001C热干燥所述焊膏。具体实施例方式在下文中，将参照附图详细描述本专利技术的优选实施方案。在描述 之前，应理解的是本说明书和所附权利要求中使用的术语不应被解释 为限于其普遍含义和字典含义，而应基于允许专利技术人为了最佳说明而 合适地限定术语的原则，基于相应于本专利技术
的含义和概念进 行解释。在根据本专利技术的中，首先，制备具有 l， 500 ~100， 000cps粘性的晶片粘着焊膏。所述晶片粘着焊膏可使用4任意通常用于晶片粘着的焊膏。典型地，所述晶片粘着焊膏包括环氧、丙烯酸盐、柔性剂、uv引发剂、有机填料，以及用于有机填料的分散溶剂 一一诸如其中混合有挥发溶剂和反应物稀释剂的共溶剂，或者仅 包含有反应物稀释剂的溶剂。关于相关于晶片粘着烊膏的粘性的数值范围，如果粘性低于下限，则很难涂敷超过20微米厚度的焊膏。与此 同时，如果粘性高于上限，则相对增加稀释剂和其他溶剂的量，这要 求增加热或者UV的温度、时间以及照射，以用于去除多余的粘性，或 者增加B-阶段处理稀释剂或者其他溶剂。另外，B-阶段处理中的问题 也对其上将被涂敷于焊膏的整个产品的可靠性产生不良影响。此外， 如果粘性超过上限，则被涂敷的焊膏的厚度可能会在晶圆中心和晶圆 末端或内部之间产生严重偏离。而且，厚度的变化可能导致在晶片粘 着工艺中的熔体流动、空隙以及晶片破裂等问题，并且其也可能对可 靠性产生不良影响。接下来，使用旋涂仪将晶片粘着焊膏涂敷到晶圓上达到 一预定厚 度。可通过调整所涂敷的焊膏的粘性和数量以及旋涂仪的速度的方式， 来控制所涂敷的焊膏的厚度。由于晶片粘着焊膏是使用旋涂仪来涂敷 到晶圆上的，因此所述焊膏可以以均匀的厚度被涂敷。接下来，对涂敷到晶圆上的焊膏作"B-阶段处理"步骤。在该步 骤中，所涂敷的焊膏被以40~ 200匸热干燥。此外，在该步骤中，在 被以40~ 200t:热干燥之后，所涂敷的焊膏可进行基于UV A波段的 100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的UV照射工艺。此外，在,皮以40 ~ 200t:热干燥 之后，所涂敷的焊膏可进行基于UV A波段的100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的 UV照射工艺，然后再以40 2001C进行二次热干燥。另外，B-阶段处 理步骤可进行基于UV A波段的100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的UV照射工艺， 并且在对所涂敷的焊膏进行基于UV A波段的100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的 UV照射之后，也可对其进行40~ 200*€的二次热干燥处理。热干燥处理去除了液体焊膏中残留的挥发性组分，并且将热引发 剂溶解为适合于与反应物发生反应的原子团或者离子。由热引发剂引 发的反应不是完全的熟化反应，但是焊膏应被保持在半熟化状态，从 而在热干燥工艺之后允许晶片粘着。半熟化状态中的焊膏将液体焊膏 保持在均匀厚度，尽量减轻焊膏在晶片粘着工艺中的厚度减少，并且5防止由于焊膏的熔体流动所导致的PCB上的非预期污染。另外，在引 线键合工艺和环氧模塑工艺中，半熟化焊膏保持焊膏和晶片之间或者 焊膏和PCB之间的粘合力大于一定等级，并且也防止粘合状态的变形。 如果即使在液体焊膏的热干燥工艺之后，焊膏还没有达到某一程度的 半熟化状态，则可能需要更高热量或更长时间来解决该问题。然而， 这可能导致PCB的热变形，从而可能对晶片粘着和可靠性产生不良影 响。因此，为了解决上述问题，采取使用UV照射的B阶段处理工艺。 UV照射工艺有利地允许通过产品颜色、环境和一些冷却设备将被照射 产品的表面温度控制为IOOIC或者更低。另外，如果控制用于UV照射 工艺的UV辐射量和强度，相比于热加热工艺，用于该UV照射工艺的 时间可被缩短至十分之几或百分之几。与此同时，为了使用UV照射工 艺，UV引发剂和UV反应物应存在于液体焊膏中。为了仅使用UV照射 工艺而不使用热干燥工艺进行B-阶段处理，与前一工艺不同，不应该 产生高热量，因而应将液体焊膏中的挥发性溶剂限制为最低值。为此， 有利的是仅使用反应性溶剂而非共溶剂结构，并且也更加有利的是， 使用可借助于UV照射保持半熟化状态的反应性溶剂。有时，可在UV 照射之后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装半导体的方法，包括：　制备具有１，５００～１００，０００ｃｐｓ粘性的晶片粘着焊膏；　旋转晶圆，并且将所述晶片粘着焊膏涂敷至所述晶圆的上表面达到一预定厚度；然后　对涂敷到所述晶圆上的焊膏作Ｂ－阶段处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐準模，姜炳彦，魏京台，金载勋，成太铉，玄淳莹，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]