包含用于表面钝化的结晶硅Ｐ－Ｎ同质接面和非晶硅异质接面的太阳能电池制造技术

本发明专利技术公开了一种薄硅太阳能电池，更具体地，太阳能电池可以由厚度约５０至５００微米的结晶硅晶片制成。太阳能电池包括具有ｐ－ｎ同质接面的第一区、可产生异质接面表面钝化的第二区，以及可产生异质接面表面钝化的第三区。非晶硅层在低于约４００摄氏度的温度下沉积于硅晶片的两侧，以减小非晶硅钝化特性损失。在大约１６５摄氏度的温度下，在两侧形成最终的透明导电氧化物层。金属触点施加于透明导电氧化物上。用于制造太阳能电池外层的低温和极薄材料层可防止薄晶片受到可能导致晶片变形的过大应力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及硅太阳能电池，更具体地说，本专利技术涉及一种可减少表面电洞与电 子再结合的晶片结构，以及一种可使引入薄硅晶片的应力更低以增强其结构完整性的方 法。
技术介绍
太阳能电池是将光能转化为电能的装置，通常也称为光电伏打电池(photovoltaic cell, PV cell)。太阳能电池可由多种半导体制造，常用的一种半导体材料是结晶硅。太阳能电池包含三个主要元件(1)半导体；(2)半导体接面；和(3)导电触 点。半导体，例如硅，可以是η-型掺杂或ρ-型掺杂。当η-型硅和ρ-型硅接合时，太 阳能电池中η-型硅和ρ-型硅接触的区域为半导体接面。半导体可吸收光，来自光的能 量可转移至硅层原子的价电子上，使得价电子逃逸其束缚状态而留下一个电洞。光生电 子和电洞由与ρ-η接面相关的电场分离。导电触点允许电流自太阳能电池流向外电路。图1所示为现有技术太阳能电池的基本元件。太阳能电池制造于硅晶片上。太 阳能电池5包含ρ-型硅基材10、η-型硅发射体20、底部导电触点40，以及顶部导电触 点50。η-型硅发射体20与顶部导电触点50相接合。ρ-型硅基材10与底部导电触点 40相接合。顶部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：　　包含相接合的ｐ－区和ｎ－区的结晶硅；　　与结晶硅的ｐ－区相接合以钝化ｐ－区表面的第一本征非晶硅层；　　与结晶硅的ｎ－区相接合以钝化ｎ－区表面的第二本征非晶硅层；　　与第一本征非晶硅层相接合以加强结晶硅电场的ｐ－型非晶硅层；以及　　与第二本征非晶硅层相接合以加强结晶硅电场的ｎ－型非晶硅层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔L迈耶，艾吉特罗哈吉，
申请(专利权)人：桑艾维公司，
类型：发明
国别省市：US