具有选择前面场的后面结太阳能电池制造技术

本发明专利技术公开了太阳能电池及其制造方法。本发明专利技术太阳能电池制造方法的一个实施方式包括：制造n-型硅基底和将n-型掺杂剂引入基底的一个或多个第一和第二区，使得第二区的掺杂度高于第一区的掺杂度。基底可以经历一次高温退火循环，以形成选择前面场层。在一次退火循环中可以引入氧，以形成原位前面和后面钝化氧化层。在一次共烧操作中，可以进行前面和后面触点的烧透以及与连接的金属化。后面触点的烘烤可以在基底和后面触点的界面形成p+发射层，因此，在发射层和基底的界面形成p-n结。此外，本发明专利技术还公开了太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式涉及太阳能电池，更具体地说，本专利技术的实施方式涉及具有选择前面场的后面结太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
在基本设计中，太阳能电池由可吸收光子并通过光伏效应发电的半导体基底材料组成。当光子进入基底时，能量被吸收，以前处于束缚状态的电子被释放，被释放的电子和以前被占据的空穴称为电荷载体。基底通常用ρ-型和η-型杂质掺杂，以在太阳能电池内的ρ-η结形成电场。为了利用自由电荷载体发电，电子和空穴在Ρ-η结处被电场分离之前一定不能再结合。电子随后被η-型发射层上的导电触点收集，空穴被ρ-型基底上的导电触点收集，未再结合的电荷载体可用于为负载供电。常用的太阳能电池的制造方法起始于提供一个具有P-型电导率的掺杂基底，η-型掺杂剂被弓I入基底的前面，以在P-型基极层的顶部形成η-型发射层。典型的，基底适度掺杂P-型电导率的掺杂剂，发射层重度掺杂η-型电导率的掺杂剂。发射层的形成，使得在基底的发光表面附近形成Ρ-η结，即使用太阳能电池时，基底的前面曝露于光源下。太阳能电池设计中一个主要的关注点是，电荷载体在再结合前到达导电触点的能力。有时，再结合前电荷载体可以前进的距离称为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·迈耶，艾吉特·罗哈吉，维诺德·钱德拉塞卡朗，维杰·叶伦德，休伯特·P·戴维斯，本·达米亚尼，
申请(专利权)人：桑艾维公司，
类型：
国别省市：