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本发明公开了一种薄硅太阳能电池，更具体地，太阳能电池可以由厚度约５０至５００微米的结晶硅晶片制成。太阳能电池包括具有ｐ－ｎ同质接面的第一区、可产生异质接面表面钝化的第二区，以及可产生异质接面表面钝化的第三区。非晶硅层在低于约４００摄氏度的温...
该专利属于桑艾维公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑艾维公司授权不得商用。

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