处理硅晶片的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于处理硅晶片的方法和装置。在第一步骤中，硅晶片（２２）沿连续的水平传送带（１２、３２）平坦地传送，且喷嘴（２０）或类似装置从顶部将蚀刻溶液喷射到晶片上以纹理化晶片，仅少量蚀刻溶液（２１）从下部施加到硅晶片（２２）。在第二步骤中，在第一步骤中对齐的硅晶片（２２）只由蚀刻溶液（３５）从下方润湿以蚀刻－抛光硅晶片（２２）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于处理硅晶片的方法以及装置，特别涉及用于以蚀刻溶液 (Itzliisung)纹理化(Texturieren)和抛光蚀刻(PolierStzen)的方法和装置。
技术介绍
迄今已知，利用蚀刻溶液从硅晶片的两个侧面蚀刻掉硅晶片的约5μπι。由此首先 可以消除切割损害。此外，可以制造纹理化的顶侧面，这对于由硅晶片制造的太阳能电池的 性能意义重大。此外，底侧面应该尽可能地光滑或有光泽，以使通过的光被发射并且其能量 在返回行程中可被利用。
技术实现思路
本专利技术的任务在于，提供一种开头所述的方法以及还有一种开头所述的用于实施 该方法的装置，借助于该方法和该装置可解决现有技术中的问题，尤其有利的进一步改进、 以及对硅晶片的改进的和有效的蚀刻是可能的。该任务是借助于一种包括如权利要求1所述特征的方法以及还有一种包括如权 利要求10所述特征的装置来实现。本专利技术的有利和优选实施方式是其它权利要求的主题， 并且以下进行更详细地解释。虽然装置的一些特征主要是关联方法描述的，但它们同时用 于阐明该装置并且通常可适用于该装置。此外，以同一申请人名义在2007年12月19日申 请的主张其优先权的申请DE 102007063202.0的措词通过引用并入本专利技术的描述内容中。 权利要求的措词通过引用并入本专利技术的描述内容中。根据本专利技术，设置成，在第一方法步骤中，硅晶片水平地被输送，并且精确地沿水 平输送路径。用于纹理化的蚀刻溶液从上方施加或喷射，为此目的可使用喷嘴、调压管 (Schwallrohr)或类似装置，这些本身用于此种目的是公知的。在该方法步骤中，或者根本 无液体或者仅少量液体从硅晶片下方施加到硅晶片或硅晶片的底侧面。无论如何，无蚀刻 液体从底侧喷射或进行类似动作。为此目的，以相应合适方式实施的装置可在输送路径上 方设有用于润湿顶侧面的所述喷嘴或调压管或类似装置。在底侧下方，根本不设置这种喷 嘴或类似装置。在随后的或第二方法步骤中，以与第一方法步骤中相同的方式或相同的方位，水 平位于输送路径上的硅晶片由蚀刻溶液从下方润湿用于抛光蚀刻。有利地，在这种情况下， 蚀刻溶液实际上只从下方施加，并且也只施加到底侧面。这正是因为，如果输送辊或类似装 置用于输送路径，则第一方法步骤中，来自上方的一些蚀刻溶液也可流到所述输送辊上，且 然后由输送辊转移到硅晶片的底侧面。然而，由于这是能管理(Uberschaubar)的量，因此 蚀刻效果在此保持非常弱。它可在例如准备第二方法步骤时甚至是有利的。以此类型和方式，在第一方法步骤中，可去除约4 μ m至6 μ m、优选为约5 μ m的材 料，以消除切割损害并纹理化顶侧面。该方法持续时间(Verfahrensdauer)在此可为约80 至120秒。在这种情况下，硅晶片有利地以连续方式移动或者在输送路径上移动通过相应4纹理化模块。在第一方法步骤中，在底侧面上去除或蚀刻掉大约2μπι的材料。结果，在此也已 消除了一部分切割损害，而在此上表面的不期望纹理化尚未正确进行。在纹理化这一方法 步骤之后，可清洗硅晶片，有利地用水清洗。用于第一方法步骤的蚀刻溶液可为用于纹理化的常用蚀刻溶液，优选地具有HF 和HNO3的混合物。在第一方法步骤中或者在纹理化模块内实施时，用于纹理化的蚀刻溶液 可沿输送路径连续施加到多个区域内。为此目的，用于喷射蚀刻溶液的多组喷嘴或类似装 置有利地连续设置，有利地设置在横向于输送路径延伸的调压管或类似装置上。这在原理 上也是公知的。纹理化模块有利地设置有位于输送路径下方的收集槽(Auffangwanne)，使得可收 集和重新利用溢出的蚀刻溶液。在纹理化模块内，在第一方法步骤中以蚀刻溶液润湿之后， 对硅晶片的所述清洗有利地在所述纹理化模块内实现，特别有利地在纹理化模块的末端实 现。纹理化模块的一部分可被构造用于用水清洗，其中收集槽在此设置成与用于蚀刻溶液 的收集槽隔离，以隔离两种液体，从而减少清洗费用。用水在硅晶片上的清洗的强度，也就 是说水量，可比用于以蚀刻溶液润湿的量大得多。有利地，硅晶片在第一方法步骤之后或者从纹理化模块直接移至下一或第二方法 步骤，下一或第二方法步骤在抛光蚀刻模块(Polier財Z-Modul')内进行。在此施加用于 抛光蚀刻的蚀刻溶液，其中硅晶片无论如何以连续方式在输送路径上输送通过抛光蚀刻模 块。硅晶片只在它们的底侧处被润湿。在一个方面这可通过从下方少量喷射而实现。明确参 照的DE 10 2005 062 528 Al的抛光蚀刻模块中的方法和装置有利地用于此目的。在这种 情况下，用于硅晶片的输送辊最大程度上浸没入用于抛光蚀刻的蚀刻溶液的浴池内。当旋 转时，蚀刻溶液粘附到其顶侧面，然后被带至硅晶片的底侧面并在底侧面处进行抛光蚀刻。 因此可在底侧面处实现蚀刻去除3 μ m至10 μ m，由此具有光滑和有光泽(gl3nzenden的 背面的良好结果所谓非常好的抛光蚀刻实际上是可能的。该方法步骤在此可比在前一方法 步骤中持续更长，特别地可持续大约200秒。在此，可通过该方法持续时间来确定蚀刻去 除。用于抛光蚀刻的蚀刻溶液是一种与纹理化过程中使用的溶液相似的溶液，不过HNO3比 例更大。蚀刻过程可在室温下实施，温度范围介于约4°C至约40°C内。这些以及其它特征不仅从权利要求而且从具体实施方式和附图中显现出来，其中 单独特征可在各个示例中通过本身实现、或者在本专利技术实施方式中作为多个特征以子组合 形式以及在其它领域内实现，并且可组成在此要求保护的有利和本身可保护的实施方式。 本申请细分成单独部分和副标题，并不限制下文阐述的总体有效性。附图说明本专利技术的示例性实施方式在附图中示意性地图示出，并在下文进行详细解释。在 附图中图1示出用于通过从上方喷射硅晶片而进行纹理化的装置的示意图；以及图2示出用于通过借助于输送辊从下方润湿而抛光蚀刻硅晶片的另一装置的示 意图。具体实施例方式图1图示具有输送路径12的纹理化模块11，输送路径12由多个输送辊13以常见 的类型和方式形成。纹理化模块11具有外壳15，外壳15包括收集槽16、以及在输送路径 12上位于左侧的入口 18。在收集槽16和输送路径12上方，提供多个彼此平行的调压管19，其可横向于输 送路径12延伸。它们具有指向下方的喷嘴20，喷嘴20喷出蚀刻溶液21。所述喷嘴20本 身对本领域技术人员而言也是公知的。它们可刚性地对齐、或另外是能移动的。此外，喷嘴 20在某些情况下也可为能单独地或成组地致动的，以获得排出的蚀刻溶液21的特定轮廓。硅晶片22在输送辊13上水平地沿着输送路径12输送。顶侧面23以后形成太阳 能电池的前侧面，且支撑在输送辊13上的底侧面24形成所述太阳能电池的后侧面。从图1中可清楚看出，蚀刻溶液21仅排放到硅晶片22的顶侧面23上。因此，在 此在第一方法步骤中主要实现对硅晶片22或硅晶片22的顶侧面23的纹理化。由此这是 显然清楚地，即一定量的蚀刻溶液21溢流、尤其是溢流过硅晶片22的前边缘以及后边缘， 并且然后位于输送辊13上。然后，置于输送辊13上的硅晶片22然后在它们的底侧面21 上也由该蚀刻溶液21润湿。然而，蚀刻溶液21的量在此相当地减少了，使得也实现了相当 少的蚀刻。然而，如图示，由于借本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理硅晶片（２２）的方法，其特征在于，在第一方法步骤中，所述硅晶片（２２）水平地沿水平的输送路径（１２、３２）输送，并且用于纹理化的蚀刻溶液（２１）借助于喷嘴（２０）或类似装置从上方施加或喷射，期间从所述硅晶片（２２）下方在所述第一方法步骤中没有或仅仅很少的蚀刻溶液（２１）施加到所述硅晶片（２２），其中在第二方法步骤中，与所述第一方法步骤中具有相同方位的硅晶片（２２）以用于抛光蚀刻的蚀刻溶液（３５）从下方润湿，优选地仅从下方润湿。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：H卡普勒，
申请(专利权)人：吉布尔施密德有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[]