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本发明涉及用于处理硅晶片的方法和装置。在第一步骤中，硅晶片（２２）沿连续的水平传送带（１２、３２）平坦地传送，且喷嘴（２０）或类似装置从顶部将蚀刻溶液喷射到晶片上以纹理化晶片，仅少量蚀刻溶液（２１）从下部施加到硅晶片（２２）。在第二步骤中，...
该专利属于吉布尔．施密德有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉布尔．施密德有限责任公司授权不得商用。

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