【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是涉及一种根据切克劳斯基法(Czochralski method,以下称为“CZ法”) 来实行的单晶硅的制造装置。
技术介绍
以下，关于公知的根据切克劳斯基法来实行的单晶制造装置，以单晶硅的培育为 例，来进行说明。图4表示用以显示公知的单晶制造装置的一例的概要剖面图。利用CZ法来制造单晶硅时所使用的单晶制造装置101，一般而言在用以培育单晶 104的主腔室102内，配置可升降移动的用以容置原料熔液105的坩埚106、107及以包围该 坩埚106、107的方式而配置的加热器108 ；并且，在该主腔室102的上部，连接设置有提拉 腔室103，该提拉腔室103用于容置培育而成的单晶，然后加以取出。坩埚106、107利用被 安装在单晶制造装置101下部的旋转驱动机构(未图标)，而被支撑在可自如旋转升降的坩 埚旋转轴118上。另外，在加热器108的外侧，以包围该加热器108的周围的方式，设有用于防止来 自加热器的热量直接辐射在主腔室102上的隔热构件109。另外，在腔室内部，以将在炉内产生的杂质排出炉外等作为目的，从设在提拉腔室 103上部的气体导入口 111导...
【技术保护点】
一种单晶的制造装置，根据切克劳斯基法来培育单晶，该单晶的制造装置至少包括：主腔室，其容纳用以容置原料熔液的坩埚与用以加热上述原料熔液的加热器；提拉腔室，其连接设置在该主腔室的上部，成长的单晶被提拉而容置于其中；以及冷却筒，其被冷却介质强制冷却，并以包围上述提拉中的单晶的方式，从上述主腔室的至少顶部向原料熔液表面延伸；其特征在于，至少具有被嵌合在上述冷却筒的内侧上的冷却辅助筒，该冷却辅助筒具有贯通轴方向的缝隙，且向上述原料熔液表面延伸。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：星亮二，高野清隆，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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