非晶氧化物和场效应晶体管制造技术

一种非晶氧化物至少包含：选自由Ｉｎ、Ｚｎ和Ｓｎ构成的组的至少一种元素；和Ｍｏ。该非晶氧化物中的Ｍｏ对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于０．１原子％且小于等于５原子％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非晶(也称为非晶质)氧化物和其中对于活性层使用这种非晶氧化物 的场效应晶体管。本专利技术还涉及其中使用这种晶体管的有机EL或无机EL被用作发光器件 的显示装置，并且涉及利用使用这种晶体管的液晶的显示装置。
技术介绍
近年来，使用基于非晶氧化物的半导体薄膜的半导体器件受到关注。这种半导体 薄膜可以在低温形成，具有大的光学带隙并对于可见光是光学透明的。由此，可以在塑料基 板、膜基板等上形成柔性透明薄膜晶体管(TFT)等。作为例子，日本专利申请公开No. 2002-76356公开了关于使用主要由Zn-O形成的 氧化物膜作为活性层的TFT的技术。“Nature”，Vol. 432，25，November 2004 (PP. 488-492)公开了关于使用在室温形成 并包含铟、锌和镓的非晶质氧化物膜作为活性层的TFT的技术。TFT的S值为相对较大的约 2V/deCade，但是，TFT的场效应迁移率高达6 9cm2/VS，由此，它可望被应用于希望在利用 液晶、电致发光等的平板显示装置中使用的有源矩阵系统。"Journal of Non-Crystalline Solids” 35本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶氧化物，所述非晶氧化物至少包含：选自由Ｉｎ、Ｚｎ和Ｓｎ构成的组中的至少一种元素；和Ｍｏ，其中，所述非晶氧化物中的Ｍｏ对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于０．１原子％且小于等于５原子％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：板垣奈穗，A戈雅尔，岩崎达哉，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]