【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的方面涉及。
技术介绍
晶体管可以分成两种主要类型双极结晶体管和场效应晶体管。两种类型共用相 同的结构，该结构包括三个电极，其中在其之间的沟道区中设置有半导体材料。双极结晶体 管的三个电极称为发射极、集电极和基极，而在场效应晶体管中，将三个电极称为源极、漏 极和栅极。可以将双极结晶体管描述为电流操作器件，因为由在基极与发射极之间流动的 电流来控制发射极与集电极之间的电流。相对照地，可以将场效应晶体管描述为电压操作 器件，因为由栅极与源极之间的电压来控制在源极与漏极之间流动的电流。还可以根据晶体管是否包括分别传导正电荷载流子(空穴)或负电荷载流子(电 子)的半导体材料将其分类为P型和N型。可以根据其接受、传导、和施予电荷的能力来选 择半导体材料。可以通过对材料进行掺杂来增强半导体材料接受、传导和施予空穴或电子 的能力。还可以根据其接受和注入空穴或电子的能力来选择用于源电极和漏电极的材料。例如，可以通过选择在接受、传导、和施予空穴方面高效的半导体材料，以及选择 在注入和从半导体材料接受空穴方面高效的用于源电极和漏电极的材料来形成P型晶体 管器件。电极中的...
【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管，包括源电极和漏电极及设置在它们之间的沟道区中的有机半导体材料，其中，所述源电极和漏电极具有设置在其上面的薄自组装材料层，该薄自组装材料层包括用于通过接受电子在化学上对所述有机半导体材料进行掺杂的掺杂剂部分，该掺杂剂部分具有相对于乙腈中的饱和甘汞电极至少０．３ｅＶ的氧化还原电位。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J波罗格斯，C墨菲，G怀廷，J豪斯，
申请(专利权)人：剑桥显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]
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