【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有机场效应晶体管和用于制造这种晶体管的方法。 目前已知的有机场效应晶体管包括 -漏极和源极，-由有机半导体材料制成的设置在漏极和源极之间的半导体层， _至少一个栅极，以及-置于栅极和半导体层之间的电绝缘层，该绝缘层与半导体层直接接触。 当在栅极上施加电压时，半导体层中存在的载流子汇聚在半导体层和绝缘材料之间的界面处，仅存在于半导体层中。然后载流子的这种汇聚形成了表征晶体管的导通状态的导电沟道。 有机场效应晶体管是用有机半导体材料制作的。这种有机场效应晶体管还被称作 縮略词OFET (Organic Field Effect Transistor)。 有机半导体或有机半导体材料是晶体或聚合物形式的有机化合物，并表现出与无 机半导体类似的特性。这些特性包括通过电子和空穴导电，以及存在禁带宽度。这些材料 形成有机电子器件。 在不存在磁场的情况下并且在稳态状态中用以下等式来限定有机半导体中载流 子的迁移率P : 尹=; 云 (0) 其中—，是有机半导体中载流子的速度，以及 — g是永久静电场。 迁移率用平方厘米每伏特每秒(cm2V—、—0...
【技术保护点】
一种有机场效应晶体管，包括：－漏极和源极（６，８），－半导体层（１０；１１２），布置在所述漏极和所述源极之间，由有机半导体材料制成，－至少一个栅极（２２），当电压Ｖ↓［Ｇ］被施加到所述栅极时，所述栅极能够创建电场，所述电场在所述半导体层中提高移动的载流子的密度以便在所述漏极和源极之间在所述半导体层中创建导电沟道，由此使得可以将所述晶体管从“截止”状态切换到“导通”状态，以及－电绝缘层（２０），置于所述栅极（２２）和半导体层（１０；１１２）之间，所述绝缘层与所述半导体层直接接触，其特征在于，所述半导体层在最接近于所述栅极处包括第一部分，所述第一部分的迁移率μ↓［ｓｕｐ］大于所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2007-7-13 0705096一种有机场效应晶体管，包括-漏极和源极(6，8)，-半导体层(10；112)，布置在所述漏极和所述源极之间，由有机半导体材料制成，-至少一个栅极(22)，当电压VG被施加到所述栅极时，所述栅极能够创建电场，所述电场在所述半导体层中提高移动的载流子的密度以便在所述漏极和源极之间在所述半导体层中创建导电沟道，由此使得可以将所述晶体管从“截止”状态切换到“导通”状态，以及-电绝缘层(20)，置于所述栅极(22)和半导体层(10；112)之间，所述绝缘层与所述半导体层直接接触，其特征在于，所述半导体层在最接近于所述栅极处包括第一部分，所述第一部分的迁移率μsup大于所述半导体层在最接近于所述源极和所述漏极处的第二部分的迁移率μinf，所述第二部分置于所述第一部分与所述源极和漏极之间。2. 根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一部分对应于所述半导体层的 最接近于所述栅极的10%体积，所述第二部分对应于所述半导体层的最接近于所述漏极和 源极的10%体积，在所述半导体层的所述第一部分中的载流子的迁移率P ，是所述半导 体层中的所述第二部分中的载流子的迁移率P inf的X倍，X是等于或大于10的数。3. 根据权利要求1或2所述的晶体管，其中，所述半导体层(10 ;112)包括 -第一子层(14;114)，由迁移率为y，的有机半导体材料构成，该第一子层与所述绝缘层接触并构成所述第一部分，-第二子层(12 ;116A，116B)，由迁移率为Pinf的有机半导体材料构成，该第二子层构 成所述第二部分并置于所述第一子层与所述漏极和所述源极之间。4. 根据上述权利要求中任一项所述的晶体管，其中，所述第一部分包括-由迁移率为y sup的有机半导体材料构成的基体，占据所述第一部分的至少90%，以及-迁移率为P sup2的无机半导体颗粒，均匀地分布于所述基体中并占据所述第一部分的 至少10%，所述无机半导体颗粒的最小宽度超过10nm。5. 根据权利要求3或4所述的晶体管，其中，当电压被施加到所述栅极时，所述第一子 层(14 ;11...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德邦韦迪赫，
申请(专利权)人：原子能委员会，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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