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有机场效应晶体管和制造该晶体管的方法技术
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文档序号:4662215
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该有机场效应晶体管包括由有机半导体材料制成的半导体层(10)。半导体层的第一部分中的载流子的迁移率μsup是半导体层的第二部分中的载流子的迁移率μinf的10倍,第一部分对应于半导体层的最接近于栅极的10%体积,第二部分对应于半导体层的最接...
该专利属于原子能委员会所有,仅供学习研究参考,未经过原子能委员会授权不得商用。
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