用于原子层沉积的涡流室盖制造技术

本发明专利技术的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中，系提供用于处理衬底的处理室，其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件，其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细，气体分配道的分流部则背离中心轴逐渐变细。室盖组件还包含从气体分配道的分流部延伸至室盖组件的周围部分的锥形底面，其中锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住衬底。且二导管耦接至气体分配道的汇流部的气体入口并设置以提供遍及气体分配道的环形气流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于原子层沉积的涡流室盖
技术介绍
专利
本专利技术的实施方式大体上涉及用于原子层沉积的设备和方法。更特别地， 本专利技术的实施方式涉及用于原子层沉积的改良的气体输送设备和方法。相关技术说明可靠地生产亚微米和更小特征(feature)为制造下世代超大规模集成电路 (VLSI)与超特大规模集成电路(ULSI)半导体器件的关键技术之一。然而， 随着电路技术推向极限，VLSI与ULSI技术的縮小的互联结构(interconnect) 尺寸对还需具备额外的处理能力。位于技术核心的多层互联结构需精确处理高 深宽比的特征，例如通孔(via)或其它互联。可靠地形成这些互联对完成VLSI 与ULSI以及对不断提高电路密度和各衬底质量是很重要的。随着电路密度增加，诸如通孔、沟槽、接点、和其它特征等互联结构及其 之间的介电材料的宽度将縮小成45 nm至32nm，而介电层的厚度基本上仍维 持不变，如此会提高特征的深宽比。许多传统沉积技术难以填充深宽比超过 4: 1，尤其是深宽比超过10: l的亚微米结构。故尚需持续努力形成基本上无 孔洞和无缝的高深宽比的亚微米特征。原子层沉积(ALD)为尝试用于材料层在高深宽比的特征上沉积的沉积技 术。ALD工艺的一例子包括相继脉冲引入气体。例如，相继脉冲引入气体的 一个循环过程可包含脉冲引入第一反应气体、接着脉冲引入净化气体(purge gas)和/或使用真空泵、然后脉冲引入第二反应气体、接着脉冲引入净化气体 和/或使用真空泵。本文所用的术语"气体"定义为包括单一气体或多种气体。 相继脉冲引入单独的第一反应气体和第二反应气体可能造成衬底表面的反应 物单层轮流自限吸收，以致每一循环过程形成材料单层。可重复进行循环过程 直到沉积材料达预定厚度。脉冲引入第一反应气体与脉冲引入第二反应气体之 间的脉冲引入净化气体和/或使用真空泵可减少残留腔室的过量反应物产生气相反应。因此，需要用来在ALD工艺期间沉积材料膜的设备和方法。
技术实现思路
本专利技术的实施方式涉及在原子层沉积(ALD)工艺期间均匀沉积材料至衬 底上的设备和方法。沉积材料的高度均匀性可归功于衬底接触到呈环形气流图 案(如涡流图案)的沉积气体。在一实施方式中，处理室包括室盖组件，该室 盖组件包含置中的扩大通道和从扩大通道往室盖组件周围部分逐渐变细的锥 形底面。锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住衬底承接面。另一腔室实 施方式包括室盖组件，该室盖组件包含置中且具汇流道与分流道的气体分配 道。又一腔室实施方式包括室盖组件，该室盖组件包含至少二个围绕扩大通道 的气体通路。多个入口由自各气体通路延伸进入扩大通道，并设置为提供遍及 扩大通道的环形气流图案。在一实施方式中，本专利技术提供一种用于处理衬底的腔室，其包括一包含衬 底承接面的衬底支撑件和室盖组件。室盖组件在室盖组件的中间部分包含气体 分配道和锥形底面，其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变 细，而气体分配道的分流部则背离中心轴逐渐变细，锥形底面从气体分配道的 分流部延伸至室盖组件的周围部分，且锥形底面经构形及调整大小以基本上衬 底承接面，室盖组件还包括耦接至气体分配道汇流部内的第一气体入口的第一 导管，以及耦接至气体分配道汇流部内的第二气体入口的第二导管，其中第一 导管和第二导管设置为提供遍及气体分配道的环形气流图案。在一实例中，第一导管和第二导管独立地设置以引导气体分配道汇流部的 内面处的气体。环形气流图案包含的流动图案有涡流、螺旋、盘旋、巻曲、扭 曲、巻绕、漩涡、其衍生图案或其组合图案。在一些实例中，环形气流图案围 绕着气体分配道的中心轴扩展至少约1圈，较佳为围绕着气体分配道的中心轴 扩展约L5圈、约2圈、约3圈、约4圈、或更多圈。在一些实施方式中，第一阀耦接第一导管而第二阀耦接第二导管，第一气 体源与第一阀为流体连通，而第二气体源与第二阀为流体连通。第一阀和第二 阀可使原子层沉积工艺的脉冲时间为约2秒或更少，例如在约0.05秒至约0.5 秒的范围内。在其它实例中，第一导管和第二导管各自独立地以自气体分配道的中心轴0度以上的角度设置以获得环形气流。在一实例中，处理室可包含体积为约3000cm3或更小的反应区，其中反应 区位于锥形底面与衬底承接面之间。其它实例提供了体积可为约1500cm3或更 小，例如约600cm3或更^J、。在另一实施方式中，本专利技术提供一种用于处理衬底的腔室，其包括室盖组 件，该室盖组件包含位于室盖组件的中间部分的气体分配道，其中气体分配道 的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细而气体分配道的分流部则背离中心 轴逐渐变细，耦接至气体分配道汇流部内的第一气体入口的第一导管，耦接至 气体分配道汇流部内的第二气体入口的第二导管，其中第一导管和第二导管设 置为提供气流图案，耦接第一导管的第一阀和耦接第二导管的第二阀，其中第 一阀和第二阀可使原子层沉积工艺的脉冲时间为约2秒或更少。在一实例中，室盖组件还包括从气体分配道的分流部延伸至室盖组件周围 部分的锥形底面。锥形底面可经构形及调整大小以基本上覆盖住衬底承接面。 在其它实例中，第一气体源可与第一阀为流体连通，而第二气体源可与第二阀 为流体连通且第一导管和第二导管各自独立地设置以引导气体分配道汇流部 的内面处的气体。环形气流图案包含的流动图案为涡流、螺旋、盘旋、巻曲、 扭曲、巻绕、漩涡、其衍生图案或其组合图案。在其它实施例中，扩大通道内 面的平均表面粗糙度沿着贯穿扩大通道的中心轴(例如自延伸入扩大通道的多 个第二入口朝衬底支撑件)增加。在又一实施方式中，本专利技术提供一种沉积材料至衬底上的方法，其包括放 置衬底于处理室内的衬底支撑件上，该处理室包含室体与室盖组件，其中室盖 组件包含位于室盖组件中间部分的气体分配道其中气体分配道的汇流部往气 体分配道的中心轴逐渐变细而气体分配道的分流部则背离中心轴逐渐变细，从 气体分配道的分流部延伸至室盖组件周围部分的锥形底面，其中锥形底面经构 形及调整大小以基本上覆盖衬底耦接至气体分配道汇流部内的第一气体入口 的第一导管，耦接至气体分配道汇流部内的第二气体入口的第二导管，其中第 一导管和第二导管设置以提供环形气流图案使至少一载气流过第一与第二导 管而形成环形流动气体；将衬底暴露于环形流动气体；脉冲引入至少一前驱物 至环形流动气体中；以及沉积包含至少一种源自至少一前驱物的元素的材料至 衬底上。在又一实施方式中，本专利技术提供一种用于处理衬底的腔室，其包括一室盖 组件，该室盖组件包含沿着中心轴延伸并位于室盖组件中间部分的扩大通道， 从扩大通道延伸至室盖组件周围部分的锥形底面，其中锥形底面经构形及调整 大小以基本上覆盖住衬底承接面。室盖组件还包括耦接至第一气体通路的第 一导管，第一气体通路环绕扩大通道且包含多个延伸入扩大通道的第一入口 ； 以及耦接至第二气体通路的第二导管，第二气体通路环绕扩大通道且包含多个 延伸入扩大通道的第二入口，其中多个第一入口和多个第二入口设置为提供遍 及扩大通道的环形气流图案。在一实例中，第一气体通路可设置在第二气体通路的正上方，且第一气体 通路和第二气体通路均绕行扩大通道的上訊多个第一入口和多个第二入口可 各自独立地设置以引导扩大通道内面处的气体环形气流图案包含的流动图案 有涡本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理衬底的腔室，包含：　衬底支撑件，包含衬底承接面；以及　室盖组件，包含：　气体分配道，位于该室盖组件的中间部分，其中该气体分配道的汇流部往该气体分配道的中心轴逐渐变细而该气体分配道的分流部则背离该中心轴逐渐变细； 　锥形底面，从该气体分配道的该分流部延伸至该室盖组件的周围部分，其中该锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住该衬底承接面；　第一导管，耦接至该气体分配道的该汇流部中的第一气体入口；以及　第二导管，耦接至该气体分配道的该汇流 部中的第二气体入口，其中该第一导管和该第二导管设置为提供遍及该气体分配道的环形气流图案。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴典晔，庞尼特巴贾，袁晓雄，史蒂文H金，舒伯特S楚，保罗F马，约瑟夫F奥布赫恩，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]