使用介电层封装器件的方法技术

一种用于封装第一器件（１４，４６）的方法，所述第一器件具有第一主表面和第二主表面。在第一器件（１４，４６）的第二主表面上方以及围绕第一器件的侧面形成密封剂（１８）。这保留第一器件的第一主表面被暴露。在第一器件（１４）的第一主表面上方形成第一介电层（２０）。形成侧面接触接口（３６，１６；４８，５６，４６；４８，５６，７０，７２），该侧面接触接口至少有一部分在第一介电层（２０）上方。切割该密封剂（１８）从而形成密封剂的多个侧面（６２，６４）。沿着该多个侧面的第一侧面（６４）去除该密封剂（１８）的一部分从而沿着该多个侧面的第一侧面暴露该侧面接触接口的一部分（７２，４６，１６）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及封装器件，并且更具体地涉及使用介电层封装器件。
技术介绍
典型地，出于在运行期间保护的目的而封装了器件。这 些被封装的器件被放置在带有其它器件的印刷电路板(PCB)上。带 有器件的PCB用于产品，例如电脑或者蜂窝式电话。由于期望减少产 品(例如电脑和蜂窝式电话)的尺寸，因此需要减少PCB和封装器件 的尺寸而不损失其功能。在很多情况下，期望有附加的功能。例如， 可能期望在一个封装体中具有多于一个器件。另外，所关心的是成本。 因此，存在对于一种能增加功能的成本有效的封装方法的需要。附图说明本专利技术通过附图作为实例来示出，并且不受附图的限制， 在附图中相似的附图标记表示类似的元件。本领域技术人员明白图中 的元件为简单和清楚起见来示出，并且没有必要按比例绘制。0004]图l示出了4艮据本专利技术实施例的聚集部位(aggregated site)的截面，该聚集部位包括第一器件、第二器件和粘合剂的一部 分。图6示出了根据一个实施例的在形成通路(via)和互连 (interconnect)之后图5的聚集部位。图8示出了根据一个实施例的在第二介电层中形成通孔 之后图7的聚集部位。图12示出了根据 一 个实施例的带有单片分割 (singulation)线的图ll的聚集部位。图17示出了根据一个实施例的图16的聚集部位的辅表面。具体实施例方式图3示出了根据一个实施例的在去除粘合剂12之后的聚 集部位IO。 一旦形成了密封剂18，管芯14和电阻器16就通过密封剂18 而物理地耦接在一起，并且因此不再需要粘合剂12。可以使用任何工 艺(例如，加热(例如UV (紫外)光和IR (红外)光)、溶剂等或 者上述工艺的组合)来去除粘合剂12。在去除粘合剂12之后，将聚集 部位10翻转过来使得管芯14的焊盘13在上边并且被暴露。在将聚集部 位10翻转过来之后，现在图中的电阻器16在管芯14的相对侧上从而示 出先前示出的管芯14和电阻器16的相同侧面。图7示出了在形成第二介电层42之后的聚集部位10。第二 介电层42可以是旋涂聚合物或者其它合适的材料。第二介电层42可以 是与笫一介电层20相同的材料或者不同的材料，并且可以或者可以不 通过与第一介电层20相同的工艺来形成。第二介电层42形成在互连 36、 38和40上方。在一个实施例中，第二介电层42大约20微米厚。图9示出了根据一个实施例的在第二介电层42上方形成 电阻器46之后的聚集部位10。电阻器46包括与电阻器16的接触部15类 似的接触部45。可以使用拾取和放置工具来将电阻器46放置在电阻器 16上方并且近似与电阻器16对齐。在该实施例中，接触部45的末端和 接触部15的末端彼此近似对齐。传统的拾取和放置工具可以在预定位 置的大约10微米或更小范围内放置电阻器46并且因此电阻器46和16 可以基本上彼此对齐。然而，电阻器46和16可以不彼此对齐。因此， 电阻器46和16可以在任何方向上相对于彼此是交错的。优选地在第二 介电层42没有完全干燥时放置电阻器46。因此，第二介电层42将是粘性的或者发粘的，并且电阻器46将在没有任何附加粘合层的情况下附 着于第二介电层42。图ll示出了根据一个实施例的在形成层52之后的聚集部 位IO。层52可以通过与第二介电层42或者第一介电层20相同的工艺来 形成并且具有与第二介电层42或者第一介电层20相同的材料。在一个 实施例中，第三介电层20是密封剂材料。0034图12示出了根据一个实施例的具有单片分割线54和56的 聚集部位IO。在所示出的实施例中，单片分割线54在电阻器16和46附 近将聚集部位10分割成单片(siiigulate)，但是不暴露电阻器16和46。 在一个实施例中，当单片分割线54在电阻器16和46附近将聚集部位10 分割成单片时，单片分割线54在电阻器16和46的最靠近边缘的0.025 英寸范围内将聚集部位分割成单片。在一个实施例中，当单片分割线 54在电阻器16和46附近将聚集部位10分割成单片时，该单片分割在单 片分割和放置工艺的精度限制范围之内。可以由任何工艺(例如用锯、激光或者其它装置)来进行该单片分割。在所示出的实施例中，单片分割线56在管芯14附近切割聚集部位10，但是不暴露管芯14。因此， 切割密封剂18 (和第三介电层20 (如果它是密封剂的话))以形成密 封剂18 (和第三介电层20 (如果它是密封剂的话))的多个侧面。图17示出了才艮据一个实施例的在暴露该外部互连72之后 的聚集部位10的辅表面64。在该实施例中，不暴露电阻器46。(但是， 在另一实施例中，电阻器46与外部互连72—起暴露。)多个外部互连72 被用作连接器接口 。由于电阻器46没有暴露因此该电阻器46不是连接 器接口的一部分。然而，在所示出的实施例中，由于电阻器46耦接到 外部互连，因此该电阻器46是连接器接口的一部分。在一个实施例中， 电阻器46不存在，由此该外部互连在没有电阻器的情况下耦接到互连 50。[0040对上述实施例的各种修改是可能的。例如，电阻器16和 46可以是其它元件，例如电容器、电感器、导电插塞等或者上述元件 的组合。另外，用作连接器或者连接器一部分的侧面接触接口的暴露部分可以是互连的一部分(例如，端部)。虽然图9-图15示出了两个 电阻器(电阻器16和46)，但是可以使用任意数目的电阻器。例如， 可以仅存在一个电阻器。虽然在图9-图15中，电阻器16处于与管芯14 相同的水平面或者层中，但是电阻器16也可以处于与管芯14不同的层 中。例如，电阻器16可以处于在管芯14上方的层中或者管芯14可以处 于在电阻器16上方的层中。类似地，虽然在图9-图15中，电阻器16和 46处于不同的层中，但是它们可以处于彼此相同的层中。在图12中， 选择单片分割线54使得在切割工艺之后没有暴露电阻器16和46。然 而，可以选择单片分割线54使得在切割工艺之后暴露电阻器16和46 。 在一个实施例中，在切割工艺期间可以去除接触部15和45的一部分。 在图14中，去除密封剂18和层52的一部分。在另一实施例中，去除介 电层20和42的一部分以及层52和密封剂18的附加的部分。这可以^使用 研磨或者磨削工艺来进行从而暴露电阻器16和46的接触部15和45。虽 然未示出，但是焊球或者其它外部连接可以形成在该封装体的主表面 58和60或者辅表面62和64上。在一个实施例中，由于侧面接触接口在 封装体外是比焊球短的电路径，因此焊球形成在主表面60上并且侧面 接触接口耦接到天线。另外，可以在该封装体中形成任意数目的管芯、 分立器件(例如，电阻器等)、导电插塞等或者上述器件的组合。在 图中示出的电阻器和管芯的数目仅仅出于示例的目的。因此，在该封 装体中可以仅仅形成一个管芯并且该管芯具有侧面接触接口 ，该侧面 接触接口可以或者可以不包括分立器件，例如电阻器。此外，应当理 解，侧面接触接口相对于辅表面64或62可以是齐平的或者凹进去的。 另外，如果存在多于一个的侧面接触接口，则每一个都可以是齐平的 或者凹进去任何距离的，并且它们不必全部都是齐平的或者凹进去相 同距离的。此外，虽然仅仅示出了侧面接触接口暴露在辅表面62上， 但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装具有第一主表面和第二主表面的第一器件的方法，包含以下步骤：　在第一器件的第二主表面上方以及围绕第一器件的侧面形成密封剂，并且保留第一器件的第一主表面被暴露；　在第一器件的第一主表面上方形成第一介电层；　形成侧面接触 接口，所述侧面接触接口至少有一部分在第一介电层上方；　切割所述密封剂从而形成所述密封剂的多个侧面；以及　沿着所述多个侧面中的第一侧面去除所述密封剂的一部分从而沿着所述多个侧面的所述第一侧面暴露所述侧面接触接口的一部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：MA曼格鲁姆，KR布尔克，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]