不对称铜络合物结晶的制造方法技术

一种不对称铜络合物结晶的制造方法，在使具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物与铜化合物发生反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及不对称铜络合物结晶的制造方法。
技术介绍
使具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物和铜化合物发生反应而得到的不对称铜络合物，作为使用重氮化合物的不对称合成中的催化剂等是有用的(参照专利文献1)。作为将该不对称铜络合物以结晶形式获取的方法，已知在络合反应后在脂肪族烃的存在下进行晶析处理的方法(参照专利文献2)。专利文献1：特开昭50-24254号公报专利文献2：特开2002-241356号公报
技术实现思路
然而，在该不对称铜络合物结晶的制造方法中，可知在具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物含有杂质的情况下，即使在脂肪族烃的存在下进行晶析处理，也难以获得纯度良好的不对称铜络合物结晶。本专利技术人等对不对称铜络合物结晶的制造方法进行了研究，结果发现通过在进行络合反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理，即使使用含有杂质的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物，也可以得到纯度良好的不对称铜络合物结晶。即，本专利技术提供以下的[1]～[20]。[1]一种不对称铜络合物结晶的制造方法，其中，在使式(1)所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物与铜化合物发生反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理。-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不对称铜络合物结晶的制造方法，其特征在于，　在使式（１）所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物与铜化合物发生反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理，　＊＊＊　（１）　式中，Ｒ↑［１］表示烷基、芳基或芳烷基，Ｒ↑［２］ 表示可以被取代的烷基或者可以被取代的苯基，Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］各自相同或不同，表示氢原子、卤原子、硝基、烷基、氟烷基、烷氧基、烷氧基羰基、三烷基甲硅烷基或氰基，＊表示该碳原子为光学活性位点。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-10-26 290993/20061、一种不对称铜络合物结晶的制造方法，其特征在于，在使式(1)所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物与铜化合物发生反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理，式中，R1表示烷基、芳基或芳烷基，R2表示可以被取代的烷基或者可以被取代的苯基，R3和R4各自相同或不同，表示氢原子、卤原子、硝基、烷基、氟烷基、烷氧基、烷氧基羰基、三烷基甲硅烷基或氰基，＊表示该碳原子为光学活性位点。2、如权利要求1所述的制造方法，其中，醇溶剂为甲醇。3、如权利要求1或2所述的制造方法，其中，铜化合物为2价的铜化合物。4、如权利要求3所述的制造方法，其中，2价的铜化合物是乙酸铜(II)或氢氧化铜(II)。5、如权利要求3所述的制造方法，其中，2价的铜化合物是乙酸铜(II)。6、如权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其中，式(1)所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物，是使式(2)所示的具有光学活性的氨基醇化合物与式(3)所示的水杨醛化合物发生反应而得到的化合物，式中，R1、R2和＊表示与上述相同的意思，式中，R3和R4表示与上述相同的意思。7、如权利要求6所述的制造方法，其中，式(2)所示的具有光学活性的氨基醇化合物，是使式(4)所示的具有光学活性的氨基酸酯化合物与式(5)所示的格利雅化合物发生反应而得到的化合物，式中，R1和＊表示与上述相同的意思，R5表示可以被取代的烷基或...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田纪彦，义宫孝则，岩永义彦，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]