不对称铜络合物结晶的制造方法技术

一种不对称铜络合物结晶的制造方法，在使具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物与铜化合物发生反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及不对称铜络合物结晶的制造方法。
技术介绍
使具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物和铜化合物发生反应而得到的不对称铜络合物，作为使用重氮化合物的不对称合成中的催化剂等是有用的(参照专利文献1)。作为将该不对称铜络合物以结晶形式获取的方法，已知在络合反应后在脂肪族烃的存在下进行晶析处理的方法(参照专利文献2)。专利文献1：特开昭50-24254号公报专利文献2：特开2002-241356号公报
技术实现思路
然而，在该不对称铜络合物结晶的制造方法中，可知在具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物含有杂质的情况下，即使在脂肪族烃的存在下进行晶析处理，也难以获得纯度良好的不对称铜络合物结晶。本专利技术人等对不对称铜络合物结晶的制造方法进行了研究，结果发现通过在进行络合反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理，即使使用含有杂质的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物，也可以得到纯度良好的不对称铜络合物结晶。即，本专利技术提供以下的[1]～[20]。[1]一种不对称铜络合物结晶的制造方法，其中，在使式(1)所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物与铜化合物发生反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理。-->(式中，R1表示烷基、芳基或芳烷基，R2表示可以被取代的烷基或者可以被取代的苯基，R3和R4各自相同或互不相同，表示氢原子、卤原子、硝基、烷基、氟烷基、烷氧基、烷氧基羰基、三烷基甲硅烷基或氰基，＊表示该碳原子为光学活性位点。)[2]如[1]所述的制造方法，其中，醇溶剂为甲醇。[3]如[1]或[2]所述的制造方法，其中，铜络合物为2价的铜化合物。[4]如[3]所述的制造方法，其中，2价的铜化合物是乙酸铜(II)或氢氧化铜(II)。[5]如[3]所述的制造方法，其中，2价的铜化合物是乙酸铜(II)。[6]如[1]～[5]中任一项所述的制造方法，其中，式(1)所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物，是使式(2)所示的具有光学活性的氨基醇化合物与式(3)所示的水杨醛化合物发生反应而得到的化合物，(式中，R1、R2和＊表示与上述相同的意思。)(式中，R3和R4表示与上述相同的意思。)[7]如[6]所述的制造方法，其中，式(2)所示的具有光学活性的氨基醇化合物，是使式(4)所示的具有光学活性的氨基酸酯化合物与式(5)所示的格利雅化合物发生反应而得到的化合物。-->(式中，R1和＊表示与上述相同的意思，R5表示可以被取代的烷基或者可以被取代的苯基。)R2-MgX    (5)(式中，R2表示与上述相同的意思，X表示卤原子。)[8]如[7]所述的制造方法，其中，式(5)中的X是溴原子。[9]如[7]所述的制造方法，其中，式(4)所示的具有光学活性的氨基酸酯化合物是用碱对该具有光学活性的氨基酸酯化合物和酸的加成盐进行处理而得到的化合物。[10]如[9]所述的制造方法，其中，碱是叔胺化合物。[11]如[10]所述的制造方法，其中，叔胺化合物是三乙胺。[12]如[9]～[11]中任一项所述的制造方法，其中，酸是有机磺酸化合物。[13]如[12]所述的制造方法，其中，有机磺酸化合物是对甲苯磺酸。[14]如[9]～[13]中任一项所述的制造方法，其中，用碱对式(4)所示的具有光学活性的氨基酸酯化合物和酸的加成盐进行处理的温度，为0～10℃的范围。[15]如[1]～[14]中任一项所述的制造方法，其中，式(1)中的R1是碳数1～4的烷基。[16]如[1]～[14]中任一项所述的制造方法，其中，式(1)中的R1是甲基。[17]如[1]～[16]中任一项所述的制造方法，其中，式(1)中的R2是可以被取代的苯基。[18]如[1]～[16]中任一项所述的制造方法，其中，式(1)中的R2是2-正丁氧基-5-叔丁基苯基。[19]如[1]～[18]中任一项所述的制造方法，其中，式(1)中的R3是氢原子，且R4是硝基。[20]如[19]所述的制造方法，其中，式(1)中的R4所示的硝基键合在其键合苯基的5位上。-->具体实施方式以下，对本专利技术进行详细说明。在上述式(1)所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物(以下简记为亚水杨基氨基醇化合物(1))中，作为R1所示的烷基，例如可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基等碳数1～4的烷基。作为芳基，例如可以举出苯基、萘基等。作为芳烷基，例如可以举出苄基、三苯甲基等。作为R1，优选碳数1～4的烷基，更优选甲基。作为R2所示的烷基，例如可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基等碳数1～4的烷基。该烷基可以用例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基等烷氧基或苯基等基团取代，作为用该取代基取代的烷基的具体例子，可以举出甲氧基甲基、乙氧基甲基、甲氧基乙基、苄基、三苯甲基等。作为可以在R2所示的苯基上取代的取代基，例如可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基等碳数1～4的烷基；甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正辛氧基、异辛氧基、正癸氧基等碳数1～10的烷氧基等。作为用该取代基取代的苯基的具体例子，可以举出2-甲氧基苯基、2-正丁氧基-5-叔丁基苯基、2-叔丁氧基-5-叔丁基苯基、2-正辛氧基-5-叔丁基苯基等。作为R2，优选可以被取代的苯基，更优选2-正丁氧基-5-叔丁基苯基。作为R3和R4所示的卤原子，例如可以举出氟原子、氯原子、溴原子等。作为烷基，例如可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基等碳数1～4的烷基。作为氟烷基，例如可以举出氟甲基、三氟甲基、氟乙基、2，2，2-三氟乙基、五氟乙基、九氟丁基等构成碳数1～4的烷基的一个以上氢原子被氟原子取代的基团。作为烷氧基，例如可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正辛氧基、-->异辛氧基、正癸氧基等碳数1～10的烷氧基。作为烷氧基羰基，例如可以举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、异丙氧基羰基、正丁氧基羰基、叔丁氧基羰基等碳数2～5的烷氧基羰基。所谓三烷基甲硅烷基是用相同或不同的3个上述烷基取代的甲硅烷基，例如可以举出三甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基等。优选R3是氢原子，且R4是硝基，其中，更优选R4所示的硝基键合在其键合苯基上的5位上。作为亚水杨基氨基醇化合物(1)，例如可以举出N-(5-硝基亚水杨基)-2-氨基-1，1-二(5-叔丁基-2-正丁氧基苯基)-1-丙醇、N-(3，5-二氯亚水杨基)-2-氨基-1，1-二苯基-1-丙醇、N-(3-氟亚水杨基)-2-氨基-1，1-二苯基-1-丙醇、N-(5-硝基亚水杨基)-2-氨基-1，1-二(2-甲氧基苯基)-1-丙醇、N-(3，5-二氯亚水杨基)-2-氨基-1，1-二(2-甲氧基苯基)-1-丙醇、N-(3-氟亚水杨基)-2-氨基-1，1-二(2-甲氧基苯基)-1-丙醇、N-(5-硝基亚水杨基)-2-氨基-1，1-二(5-叔丁基-2-正丁氧基苯基)-1-丙醇、N-(3，5-二氯亚水杨基)-2-氨基-1，1-二(5-叔丁基-2-正丁氧基苯基)-1-丙醇、N-(3-氟亚水杨基)-2-氨基-1，1-二(5-叔丁基-2-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不对称铜络合物结晶的制造方法，其特征在于，　在使式（１）所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物与铜化合物发生反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理，　＊＊＊　（１）　式中，Ｒ↑［１］表示烷基、芳基或芳烷基，Ｒ↑［２］ 表示可以被取代的烷基或者可以被取代的苯基，Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］各自相同或不同，表示氢原子、卤原子、硝基、烷基、氟烷基、烷氧基、烷氧基羰基、三烷基甲硅烷基或氰基，＊表示该碳原子为光学活性位点。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-10-26 290993/20061、一种不对称铜络合物结晶的制造方法，其特征在于，在使式(1)所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物与铜化合物发生反应后，在醇溶剂的存在下进行晶析处理，式中，R1表示烷基、芳基或芳烷基，R2表示可以被取代的烷基或者可以被取代的苯基，R3和R4各自相同或不同，表示氢原子、卤原子、硝基、烷基、氟烷基、烷氧基、烷氧基羰基、三烷基甲硅烷基或氰基，＊表示该碳原子为光学活性位点。2、如权利要求1所述的制造方法，其中，醇溶剂为甲醇。3、如权利要求1或2所述的制造方法，其中，铜化合物为2价的铜化合物。4、如权利要求3所述的制造方法，其中，2价的铜化合物是乙酸铜(II)或氢氧化铜(II)。5、如权利要求3所述的制造方法，其中，2价的铜化合物是乙酸铜(II)。6、如权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其中，式(1)所示的具有光学活性的亚水杨基氨基醇化合物，是使式(2)所示的具有光学活性的氨基醇化合物与式(3)所示的水杨醛化合物发生反应而得到的化合物，式中，R1、R2和＊表示与上述相同的意思，式中，R3和R4表示与上述相同的意思。7、如权利要求6所述的制造方法，其中，式(2)所示的具有光学活性的氨基醇化合物，是使式(4)所示的具有光学活性的氨基酸酯化合物与式(5)所示的格利雅化合物发生反应而得到的化合物，式中，R1和＊表示与上述相同的意思，R5表示可以被取代的烷基或...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田纪彦，义宫孝则，岩永义彦，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]