【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利
本专利技术涉及含独特显影性增强化合物的正性工作可成像元件。本专利技术还涉及使这些元件成像而提供可以用作平版印刷板的成像元件的方法。专利技术背景在平版印刷中,油墨接受区(称为图像区域)在亲水性表面上产生。当表面用水润湿并施用油墨时,该亲水区保持水并排斥油墨,油墨接受区接受油墨并排斥水。然后将油墨转移到其上将复制图像的适合材料的表面上。在某些情况下,可以首先将油墨转移到中间转印布上,它进而用于将油墨转移到其上将复制图像的材料的表面上。可用于制备平版印刷(或胶版)印刷板的可成像元件通常包含一个或多个施加在基材(或中间层)的亲水性表面上的可成像层。该可成像层(或多层)可以包含分散于适合的粘结剂内的一种或多种辐射敏感性组分。在成像之后,通过适合的显影剂将可成像层(或多层)的曝光区或未曝光区除去,而使基材的基础性的亲水性表面露出。如果除去曝光区域,则元件被认为是正性工作的。反之,如果除去未曝光区域,则元件被认为是负性工作的。在每种情况下,可成像层(或多层)的保留区域是油墨接受性的,而通过显影过程露出的亲水表面的区域接受水或含水溶液(通常是润版溶液)并排斥油墨。类似地,正性工作组合物可以用来在印刷电路板(PCB)制造、厚膜和薄膜电路、电阻器、电容器和电感器、多片器件、集成电路和有源半导体器件中形成抗蚀剂图案。″激光直接成像″方法(LDI)是已知的,它们使用来自计算机的数字数据直接地形成胶版印刷板或印刷电路板,并且提供优于使用感光掩膜的在前方法的许多优点。在这一领域已存在更有效激光、改进的可成像组合物及其组分的相当大的发展。热敏可成像元件可以分类为响应于适合量的 ...
【技术保护点】
一种正性工作可成像元件,其包括基材和在基材上的:可成像层,该可成像层包含含水碱性显影剂可溶性聚合物粘结剂、显影性增强化合物和辐射吸收性化合物,其中所述显影性增强化合物是具有至少一个氨基和至少一个羧酸基的有机化合物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-12-19 11/9594921.一种正性工作可成像元件,其包括基材和在基材上的:可成像层,该可成像层包含含水碱性显影剂可溶性聚合物粘结剂、显影性增强化合物和辐射吸收性化合物,其中所述显影性增强化合物是具有至少一个氨基和至少一个羧酸基的有机化合物。2.权利要求1的元件,其中所述至少一个氨基与芳基直接连接。3.权利要求1的元件,包含红外辐射吸收性化合物,从而赋予所述元件红外辐射敏感性。4.权利要求1的元件,其中所述显影性增强化合物由以下结构(DEC)表示:[HO-C(=O)]m-A-[N(R1)(R2)]n(DEC)其中:R1和R2独立地是氢或取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基或取代或未取代的芳基,A是链中含至少一个碳、氮、硫或氧原子的取代或未取代的有机连接基,其中A还包含与-[N(R1)(R2)]n直接连接的取代或未取代的亚芳基,m是1-4的整数,n是1-4的整数。5.权利要求4的元件,其中A包含与-[N(R1)(R2)]n直接连接的取代或未取代的亚苯基,m和n独立地是1或2。6.权利要求1的元件,包含一种或多种氨基苯甲酸、二甲基氨基苯甲酸、氨基水杨酸、吲哚乙酸或苯胺双乙酸类、N-苯基甘氨酸或它们的任何组合作为显影性增强化合物。7.权利要求1的元件,其中所述显影性增强化合物由以下结构(DEC)表示:[HO-C(=O)]m-A-[N(R1)(R2)]n(DEC)其中:R1和R2中至少一个是取代或未取代的芳基,另一个是氢或取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基或取代或未取代的芳基,A是链中含至少一个碳、氮、硫或氧原子的取代或未取代的有机连接基,其中A还包含与-[N(R1)(R2)]n直接连接的取代或未取代的亚烷基,m是1-4的整数,n是1-4的整数。8.权利要求1的元件,其中所述聚合物粘结剂以30-95重量%的范围存在,所述显影性增强组合物以1-30重量%的范围存在,所述辐射吸收性化合物是以1-25重量%的范围存在的红外辐射吸收性化合物,均基于是所述可成像元件中的最外层的单个可成像层的总干重。9.权利要求1的元件,其中所述聚合物粘结剂包含酚醛树脂或聚(乙烯醇缩醛),所述聚(乙烯醇缩醛)包含基于总重复单元计至少40mol%且至多80mol%由以下结构(PVAc)表示的重复单元:其中R和R′独立地是氢或取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基或卤基,R2是取代或未取代的苯酚基、萘酚基或蒽酚基。10.权利要求9的元件,其中所述聚合物粘结剂包含由以下结构(I)表示的聚(乙烯醇缩醛):-(A)m-(B)n-(C)p-(D)q-(E)r-(I)其中:A代表由以下结构(Ia)表示的重复单元:B代表由以下结构(Ib)表示的重复单元:C代表由以下结构(Ic)表示的重复单元:D代表由以下结构(Id)表示的重复单元:E代表由以下结构(Ie)表示的重复单元:m是5-40mol%,n是10-60mol%,p是0-20mol%,q是1-20mol%,r是5-49mol%,条件是m+n+p是至少50mol%,R和R′独立地是氢或取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基或卤基,R1是取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基或除取代或未取代的苯酚基或萘酚基以外的取代或未取代的芳基,R2是取代或未取代的苯酚基、取代或未取代的萘酚基或取代或未取代的蒽酚基,R3是取代或未取代的烯基或苯基,R4是-O-C(=O)-R5基,其中R5是取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基,和R6是羟基。11....
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