场发射电子器件制造技术

本发明专利技术涉及一种场发射电子器件，其包括：一绝缘基板；多个行电极；多个阴极发射体；一隔离层；多个列电极相互平行且间隔设置于隔离层的表面，该多个列电极；一阳极装置，该阳极装置包括一阳极玻璃基板、一阳极电极以及多个荧光粉区域；所述阴极发射体包括至少一电子发射体，所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述行电极电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极电极延伸作为电子发射体的电子发射端，所述碳纳米管管状结构具有一中空的线状轴心，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕该中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构沿所述线状轴心的一端延伸出多个电子发射尖端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场发射电子器件，尤其涉及一种应用碳纳米管作为电子发射体的 场发射电子器件。
技术介绍
场发射电子器件在低温或者室温下工作，与电真空器件中的热发射电子器件相比 具有功耗低、响应速度快以及低放气等优点，因此用场发射电子器件有望替代电真空器件 中的热发射电子器件。碳纳米管(Carbon Nanotube, CNT)是一种新型碳材料，由日本研究人员Iijima 在 1991 年发现，请参见〃 Helical Microtubules of Graphitic Carbon “，S. Iijima， Nature, vol.354, p56(1991)。碳纳米管具有极优异的导电性能、良好的化学稳定性和大 的长径比，且其具有几乎接近理论极限的尖端表面积(尖端表面积愈小，其局部电场愈集 中)，因而碳纳米管在场发射领域具有潜在的应用前景。目前的研究表明，碳纳米管是已知 的最好的场发射材料之一，它的尖端尺寸只有几纳米至几十纳米，具有低的开启电压，可传 输极大的电流密度，并且电流稳定，使用寿命长，因而非常适合作为一种极佳的点电子源， 应用在场发射电子器件中作为电子发射体。现有的场发射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射电子器件，其包括：一绝缘基板；多个行电极相互平行且间隔设置于绝缘基板的表面；多个阴极发射体设置于所述行电极表面，且呈矩阵状分布；一隔离层，所述隔离层设置于绝缘基板表面且覆盖部分行电极；多个列电极相互平行且间隔设置于隔离层的表面，该多个列电极通过隔离层支撑且与多个行电极异面垂直且交叉设置；一阳极装置，该阳极装置包括一阳极玻璃基板、一阳极电极以及多个荧光粉区域，上述行电极和列电极相交叉的位置与所述多个荧光粉区域一一对应设置；其特征在于：所述阴极发射体包括至少一电子发射体，所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述行电极电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏洋，柳鹏，郝海燕，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[]