用于测试半导体器件的方法和半导体器件测试系统技术方案

一种用于测试半导体器件（５０）的方法，包括：利用光束（４１）照射所述半导体器件内的晶体管，其中照射晶体管在该晶体管内感生电流（６８）；以及响应于所述照射，检测来自所述晶体管的光子发射。一种半导体器件测试系统（１０）包括：光束发射器（１８），该光束发射器向进行测试的器件（ＤＵＴ）（１２）提供光束，以在该ＤＵＴ中感生电流；过滤器（２２），该过滤器接收来自所述ＤＵＴ的光子发射，并且从所述光子发射中去除从所述ＤＵＴ反射的反射光束，以提供过滤后光子发射；以及光子检测器（３２），该光子检测器检测所述过滤后光子发射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体上涉及半导体器件，并且更具体地说，涉及半导体器件的测试。
技术介绍
当半导体器件不能适当地工作时，执行故障分析，以确定问题的起因。故障分析涉 及对器件节点的功能性微探测(functionalmicroprobing)。这可以通过诸如e射束探测、 金属互连探测、激光电压探测以及时间分辨发光显微术(TRLEM)的许多不同处理来执行。 TRLEM是一种优选方法并且在电源电压高的情况下工作良好。然而，如果电源电压小(例 如，大约1. 5V或更小)，则由TRLEM生成的信号可能太小而无法检测，并且不能很好地执行 故障分析。另外，因为TRLEM波形获取技术需要信号随着时间积分，所以测试可能太慢(例 如，12小时或更多)。附图说明本专利技术通过示例的方法进行说明，并且不局限于附图，在附图中，相同标号指相似 部件。图中的部件出于简化和清楚的目的示出，并且不必按比例绘制。图1示出了根据一实施例的系统和进行测试的器件的示意图；图2示出了根据一实施例的反相器(inverter)的示图；以及图3示出了波形。具体实施例方式诸如激光器的发光源被用于激发光束感生电流(0BIC)，所述光束感生电流产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测试半导体器件的方法，该方法包括：利用光束照射所述半导体器件内的晶体管，其中照射所述晶体管在该晶体管内感生电流；以及响应于所述照射，检测来自所述晶体管的光子发射。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-12-7 11/952,210一种用于测试半导体器件的方法，该方法包括利用光束照射所述半导体器件内的晶体管，其中照射所述晶体管在该晶体管内感生电流；以及响应于所述照射，检测来自所述晶体管的光子发射。2.根据权利要求1所述的方法，其中，照射所述晶体管和检测所述光子发射同时执行。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在停止照射所述晶体管之后进行对所述光子发 射的检测。4.根据权利要求1所述的方法，其中，进行对所述光子发射的检测，以指示在所述晶体 管中存在饱和电流并且检测所述晶体管中的因所述光束而造成的泄漏电流。5.根据权利要求4所述的方法，其中，检测所述光子发射包括检测所述晶体管的漏极 的状态变化。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光束具有能量大于或等于所述晶体管的半 导体材料的能带隙的波长。7.根据权利要求1所述的方法，还包括向所述半导体器件提供一个或多个测试矢量，其中，与提供一个或多个测试矢量至少 部分同时地提供照射和检测。8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括响应于所述照射并且在检测所述光子发射之前，过滤所述光子发射，以去除从所述半 导体器件反射的反射光束。9.一种用于测试半导体器件的方法，该方法包括在所述半导体器件上迭代地执行多个测试矢量，其中，在执行所述多个测试矢量中的 每一次迭代期间，所述方法还包括利用光束照射所述半导体器件内的晶体管，其中照射所述晶体管在该晶体管内感生电流；检测来自所述晶体管的光子发射；以及根据检测到的所述光子发射累积光子计数。10.根据权利要求|1|所述的方法，其中，在执行所述多个测试矢量的每一次迭代期 间，所述方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：KB埃令顿，KJ迪克森，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]