有机硅树脂组合物和沟槽隔离的形成方法技术

本发明专利技术涉及有机硅树脂，其特征在于：由下述示性式(1)表示： (H2SiO)n(Si1.5)m(SiO2)k(1)；(式(1)中，n、m和k分别为数，n+m+k＝1时， n为0.05以上，m超过0但为0.95以下，k为0～0.2)，该树脂在120℃ 下为固态。本发明专利技术的有机硅树脂适合在用于形成长宽比较大的沟槽隔 离的组合物中使用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成高纯度二氧化硅膜的有机硅树脂组合物以及使用该有机硅树脂组合物的沟槽隔离的形成方法。
技术介绍
对于分离将多个元件高密度地集成而形成的半导体装置的元件间的技术，已知有沟槽隔离。沟槽隔离结构主要是通过干法蚀刻在硅基板上挖沟槽，在其中埋入SiO2，最后通过化学机械研磨法(CMP)使其平坦而形成。该沟槽隔离与通过LOCOS(硅的局部氧化)法形成的隔离相比，不会使起因于鸟嘴(bird beak)等的工艺的隔离尺寸增加，因此适合元件的高集成化。 上述结构的沟槽隔离通常按照“初めての半導体プロセス”(前田和夫著，(株)工业调查会，2001年，166～173页)所述的方法等形成。常规的沟槽隔离形成法首先是通过化学气相生长(CVD法)法，在硅基板的上面层合二氧化硅(SiO2)膜和作为氧化掩模的氮化硅(Si3N4)膜。 接着，通过常规的光刻法，用抗蚀剂在氮化硅膜的上面形成具有沟槽图案的蚀刻掩模，通过反应性离子蚀刻等各向异性蚀刻，以贯穿氮化硅膜和氧化硅膜的状态在硅基板上形成沟槽。然后例如通过热氧化法或化学气相生长法在沟槽的内壁形成氧化硅膜，接着，例如通过化学气相生长法在沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机硅树脂，其特征在于：该有机硅树脂由下述示性式（１）表示，在１２０℃下为固态：　（Ｈ↓［２］ＳｉＯ）↓［ｎ］（ＨＳｉＯ↓［１．５］）↓［ｍ］（ＳｉＯ↓［２］）↓［ｋ］　（１）　式（１）中，ｎ、ｍ和ｋ分别为数，ｎ＋ｍ＋ｋ＝１时 ，ｎ为０．０５以上，ｍ超过０但为０．９５以下，ｋ为０～０．２。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.21 JP 256183/2006;2006.11.24 JP 316761/20061.有机硅树脂，其特征在于该有机硅树脂由下述示性式(1)表示，在120℃下为固态(H2SiO)n(HSiO1.5)m(SiO2)k(1)式(1)中，n、m和k分别为数，n+m+k＝1时，n为0.05以上，m超过0但为0.95以下，k为0～0.2。2.权利要求1所述的有机硅树脂，其中，上述式(1)中，k＝0。3.权利要求1或2所述的有机硅树脂，其中，由对上述有机硅树脂测定的29Si-NMR谱的积分值求出的Si-OH键含量相对于Si-O键的总量为5％以下。4.权利要求1或2所述的有机硅树脂的制备方法，其特征在于该方法是在有机溶剂中、在碱性或中性条件下，使下述式(2)所示的硅化合物缩合式(2)中，x表示3～25的整数。5.权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩沢晴生，酒井达也，松木安生，玉木研太郎，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP