【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及存储器装置，且更特定来说，在一个实施例中涉及一种用于控制非易 失性存储器装置的系统及方法。
技术介绍
随着电子装置的逐渐普及(例如膝上型计算机、便携式数字助理、数码相机、移动 电话、数字音频播放器、视频游戏控制台等)，对非易失性存储器的需求日趋上升。非易失性 存储器以各种类型(包含快闪存储器)出现。快闪存储器广泛用于电子装置(例如以上所 提及的那些装置)中的快速信息存储及检索。典型的快闪存储器装置包含存储器阵列，所述存储器阵列含有布置成若干行与若 干列的大量快闪存储器单元。两种常见类型快闪存储器阵列架构为“NAND”及“NOR”架构， 之所以如此称谓是由于布置基本快闪存储器单元配置或每一基本快闪存储器单元的逻辑 形式。图1图解阐释常规设计的典型NAND快闪存储器阵列10。阵列10由大量快闪存储器 单元组成，所述快闪存储器单元全体由参考编号14指示。快闪存储器单元14的阵列通常 被划分成多个块，图1中显示其中的一个块。每一块包含多个行，其在图1中所示的实例中 包含32个行。同一行中的单元14的控制栅极耦合到共用字线30，其每一者接收相应字线 信号WL...
【技术保护点】
一种装置，其包括：存储器单元阵列，其包含目标存储器单元；可操作以确定与所述目标存储器单元相关联的降级参数的单位；及控制单位，其可操作以将所提供的控制信号耦合到所述目标存储器单元，其中所述控制信号可至少部分地基于所述降级参数而调节。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：哈昌宛，拉明古德西，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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