深紫外半导体发光装置制造方法及图纸

目前被作为紫外光源使用的水银灯无法小型化，而且发光二极管的对应波长也只在３６５ｎｍ以下很难实现实用化的情况下，本发明专利技术提供了一种大面积高亮度的深紫外发光装置。该深紫外发光装置，具有阳极基板，其以氮化铝作为主要材料，添加了钆（Ｇｄ）等稀土金属离子的紫外荧光体薄膜；阴极基板，具有场致电子发射材料薄膜；将上述阳极基板和阴极基板相向设置；还具有垫片，可以让基板之间的空隙保持在真空状态；以及包括在阳极基板和阴极基板之间的外加电场电压回路构成。将阳极基板和阴极基板之间的空隙作为真空通道区域，在基板之间外加电场，将上述场致电子发射薄膜材料发射出的电子束注入上述紫外荧光体薄膜，使之发光的深紫外发光装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术所述的深紫外半导体发光装置，主要是涉及一种深紫外场发射装置。
技术介绍
紫外光光源(UV-A，B, C)除了作为曝光光源被广泛利用之外，在需要较强的杀菌 作用或需要利用光进行化学反应的场所或医疗现场也发挥着重要的作用。此外，今后在分 解环境污染物质或水质管理等领域可以创造出更多的成效有着很高的期待。目前，紫外光光源主要应用在水银灯(发光紫外波长为254nm)。关于水银灯，电子 源为灯丝型，其电子激发所产生的光源需要类似于荧光灯一样的大型真空管状装置。因此， 就目前的紫外光源，存在着由于真空管爆裂 寿命短的原因所产生的操作耗损等风险，很难 实现小型装置芯片化等问题。同时，针对RoHS指令的对策也很重要。RoHS指令，其英文全称为Restriction of use ofcertain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment, 即《欧盟关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令》该指令于2006年7月在欧 盟全地区正式实施。所有在欧盟市场上出售的电子电气设备必须禁止使用铅、水银、镉、六 价铬等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深紫外半导体发光装置，其特征在于：具有阳极基板，其以氮化铝作为主要材料，添加了钆（Ｇｄ）等稀土金属离子的紫外荧光体薄膜；阴极基板，具有场致电子发射材料薄膜；将上述阳极基板和阴极基板相向设置；还具有垫片，可以让基板之间的空隙保持在真空状态；以及包括在阳极基板和阴极基板之间的外加电场电压回路构成。将阳极基板和阴极基板之间的空隙作为真空通道区域，在基板之间外加电场，将上述场致电子发射薄膜材料发射出的电子束注入上述紫外荧光体薄膜，使之发光的深紫外发光装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-9-3 特愿2007-228388一种深紫外半导体发光装置，其特征在于具有阳极基板，其以氮化铝作为主要材料，添加了钆(Gd)等稀土金属离子的紫外荧光体薄膜；阴极基板，具有场致电子发射材料薄膜；将上述阳极基板和阴极基板相向设置；还具有垫片，可以让基板之间的空隙保持在真空状态；以及包括在阳极基板和阴极基板之间的外加电场电压回路构成。将阳极基板和阴极基板之间的空隙作为真空通道区域，在基板之间外加电场，将上述场致电子发射薄膜材料发射出的电子束注入上述紫外荧光体薄膜，使之发光的深紫外发光装置。2.如权利要求1中所述的深紫外半导体发光装置，其特征在于紫外半导体发光装置 中的紫外荧光体薄膜中添加的稀土金属离子，是指由钆(Gd)，铕(Eu)，镝...

【专利技术属性】
技术研发人员：喜多隆，
申请(专利权)人：国立大学法人神户大学，
类型：发明
国别省市：JP[日本]