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深紫外半导体发光装置制造方法及图纸
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文档序号:5432839
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目前被作为紫外光源使用的水银灯无法小型化,而且发光二极管的对应波长也只在365nm以下很难实现实用化的情况下,本发明提供了一种大面积高亮度的深紫外发光装置。该深紫外发光装置,具有阳极基板,其以氮化铝作为主要材料,添加了钆(Gd)等稀土金属离...
该专利属于国立大学法人神户大学所有,仅供学习研究参考,未经过国立大学法人神户大学授权不得商用。
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