陶瓷基板、陶瓷基板的制造方法和电源模块用基板的制造方法技术

含有硅的陶瓷基板，该基板表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为２．７Ａｔｏｍ％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。本申请要求2007年11月6日申请的日本特愿2007-288287号、2008年3月19日 申请的日本特愿2008-072509号、2008年10月21日申请的日本特愿2008-271036号、和 2008年10月21日申请的日本特愿2008-271037号的优先权，在此援引其内容。
技术介绍
例如，安装了半导体晶片等电子部件的电源模块具有电源模块用基板，该电源模 块用基板一般具有包含A1N (氮化铝)或A1203 (氧化铝)、Si3N4(氮化硅)、SiC (碳化硅)等 的陶瓷基板、在上述陶瓷基板的上面配置的金属部件的电路层、和在上述陶瓷基板的下面 配置的金属部件的金属层。在电源模块用基板的电路层上设置作为发热体的半导体晶片， 在金属层的下面设置冷却用的降温装置(参考下述专利文献1)。在上述电源模块中，半导体晶片所产生的热通过金属层向降温装置中的冷却水释 放。通过在上述电源模块中采用具有比A1N高的弯曲强度等的、机械特性优异的Si3N4 作为陶瓷基板，可以实现陶瓷基板的薄质化。专利文献1 日本特开2002-9212号公报
技术实现思路
当在包含Si3N4的陶瓷基板上接合本文档来自技高网...

【技术保护点】
陶瓷基板，其是含有硅的陶瓷基板，该基板表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为２．７Ａｔｏｍ％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-11-6 2007-288287;JP 2008-3-19 2008-072509;陶瓷基板，其是含有硅的陶瓷基板，该基板表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为2.7Atom％以下。2.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中，上述浓度使用电子探针显微分析仪测定。3.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其通过沿形成于含有硅的陶瓷母材表面的划线将 上述陶瓷母材分割来形成。4.陶瓷基板的制造方法，其具有下述工序通过对含有硅的陶瓷母材的表面照射能量光，而在上述陶瓷母材的表面形成划线的工 序、和对形成了上述划线的上述陶瓷母材实施表面处理的工序，形成了上述划线的上述陶瓷母材表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为 2. 7Atom% 以下。5.根据权利要求4所述的陶瓷基板的制造方法，其中，上述浓度使用电子探针显微分 析仪进行测定。6.陶瓷基板的制造方法，其具有通过对含有硅的陶瓷母材的表面照射YAG激光的二次 谐波以上的能量光，而在上述陶瓷母材的表面形成上述划线的工序，形成了上述划线的上述陶瓷母材表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为 2. 7Atom% 以下。7.根据权利要求6所述的陶瓷基板的制造方法，其中，上述浓度使用电子探针显微分 析仪进行测定。8.电源模块用基板的制造方法，其具有下述工序通过对含有硅的陶瓷母材的表面照射能量光而形成划线的工序、对形成了上述划线的上述陶瓷母材实施表面处理的工序、通过沿上述划线将上述陶瓷母材分割而形成陶瓷基板的工序、和将金属部件接合于上述陶瓷基板的工序，形成了上述划线的上述陶瓷母材表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为 2. 7Atom% 以下。9.根据权利要求8所述的电源模块用基板的制造方法，其中，上述浓度使用电子探针 显微分析仪进行测定。10.根据权利要求8所述的电源模块用基板的制造方法，其中，上述金属部件为铝。11.根据权利要求8所述的电源模块用基板的制造方法，其中，上述金属部件钎焊在上 述陶瓷基板上。12.电源模块用基板的制造方法，其具有下述工序通过对含有硅的陶瓷母材的表面照射YAG激光的二次谐波以上的能量光，而在上述陶 瓷母材的表面形成上述划线的工序、通过沿上述划线分割上述陶瓷母材而形成陶瓷...

【专利技术属性】
技术研发人员：殿村宏史，北原丈嗣，石塚博弥，黑光祥郎，长友义幸，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]