单结铜铟镓硫薄膜太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池技术，特别涉及一种化合物半导体薄膜单结铜铟镓硫ＣｕＩｎＧａＳ↓［２］太阳电池技术，其特征在于；它是依次在玻璃，不锈钢板，特制塑胶板衬底１，上，电镀钼Ｍｏ或钛Ｔｅ层作电极２，然后再应用多靶濺射沉积法在衬底１，上先濺射铜层Ｃｕ，再濺射铟层Ｉｎ，和镓层Ｇａ，而后在硫的气氛中Ｈ↓［２］Ｓ或Ｓ粉的低温炉中作硫化处理后可得到具有黄铜矿结构的铜铟镓硫ＣｕＩｎＧａＳ↓［２］多晶膜３，再相继在铜铟镓硫ＣｕＩｎＧａＳ↓［２］表面３，上，采用濺射法溅射氧化锌ＺｎＯ过渡层４，和透明导电膜ＡｚＯ层５，再镀減反射层６，最后镀金属柵极７，用于输出电流的结构。其优点为；性能稳定，转化率高、成本低、原料丰富，可大面积生产。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

单结铜铟镓硫薄膜太阳能电池
；本技术涉及一种太阳能电池技术，特别是一种化合物半导体合金；单结 铜铟镓硫CuInGaS2簿膜太阳能电池技术。
技术介绍
；太阳能发电是利用硅或合金等半导体材料的光伏效应，在光的照射下产生 电能。硅系列产品分为单晶硅，多晶硅和非晶硅。单晶和多晶硅电池。是利用 地球上的沙岩，(二氧化硅〕用真空冶炼提纯铸成单晶或多晶硅棒，切割为片状 铺设在密封并抽真空的玻璃扳下，嵌以电极串联或并联而成电池。其缺点耗能 量大，硅棒原料贫乏,成本高、不便于大面积生产。非晶硅太阳能电池是最近才发展起来的一种新型簿膜电池。非晶硅电池的 最大优点是成本低，〔为多晶硅电池成本的50%左右〕耗材少(电池厚度小于lym.，是多晶硅片厚的1/50左右)，材料与器件同时完成，便于大面积生产。 且具有弱光发电特性。但转化率低、因此受到人们的普遍重视，并得到迅速发展。 但转化率较低，衰減严重。化合物半导体合金铜铟硒镓CuInGaSe2簿膜太阳能电池。制备方法简单， 性能稳定，转化率高、成本低、原料丰富，可大面积生产。但硒化物有毒，价格高昂o
技术实现思路
；本技术专利技术的目的是；克服硅系列太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单结铜铟镓硫薄膜太阳电池，特别涉及一种化合物半导体薄膜单结铜铟镓硫ＣｕＩｎＧａＳ↓［２］太阳电池其特征在于；它是一种在扳式平面上镀不同原素膜的叠层电池；依次在玻璃，不锈钢板，特制塑胶平面板衬底（１）上，电镀钼Ｍｏ或钛Ｔｅ层作电极（２），然后再应用多靶濺射沉积法在衬底（１）上，先濺射铜层Ｃｕ，再濺射铟层Ｉｎ，和镓层Ｇａ，而后在硫的气氛中Ｈ↓［２］Ｓ或Ｓ粉的低温炉中作硫化处理附着硫Ｓ↓［２］层，组成了具有黄铜矿结构的单结铜铟镓硫ＣｕＩｎＧａＳ↓［２］多晶膜（３；）再相继在铜铟镓硫ＣｕＩｎＧａＳ↓［２］表面（３），上，采用濺射法濺射氧化锌Ｚｎｏ过渡层（４），和透明导电膜Ａｚｏ层（５），再镀減反射...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭玉钦，郭君涛，
申请(专利权)人：郭君涛，
类型：实用新型
国别省市：41[中国|河南]