用于太阳能电池制造的沉积半导体薄层的技术和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于太阳能电池制造的沉积半导体薄层的技术和装置，其以不同实施方式有利地提供低成本沉积技术以形成高质量、致密、良好粘附的并具有宏观尺度和微观尺度组成均匀的ＩＢＩＩＩＡＶＩＡ化合物薄膜。在一个实施方式中，提供在基底上生长ＩＢＩＩＩＡＶＩＡ族半导体层的方法。该方法包括在基底上沉积ＩＢ族材料薄膜和至少一层ＩＩＩＡ族材料，相互混合ＩＢ族材料和至少一层ＩＩＩＡ族材料以形成相互混合的层，在相互混合的层上形成包括至少一层ＩＩＩＡ族材料亚层和ＩＢ族材料亚层的金属薄膜。还描述了其它实施方式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制备用于辐射探测器和光电应用的半导体薄膜的方法和装置。背景太阳能电池是将日光直接转换为电能的光电器件。最为常用的太阳能电池材料是 单晶或多晶晶片形式的硅。然而，使用硅基太阳能电池生产电的成本高于用较传统的方法 生产电的成本。因此，从1970’ s早期已进行努力以降低用于地面使用的太阳能电池的成 本。降低太阳能电池成本的一个方法是发展低成本的能在大面积基板上沉积太阳能电池质 量的吸收材料的薄膜生长技术和使用高产量低成本的方法制造这些器件。包括一些IB 族(Cu、Ag、Au)、IIIA 族(B、Al、Ga、In、Tl)和 VIA 族(0、S、Se、Te、 Po)材料或周期表元素的IBIIIAVIA族化合物半导体是优良的用于薄膜太阳能电池结构 的吸收材料。特别的通常称为CIGS(S)、或Cu(In，Ga) (S，Se)2或CuIrvxGax(SySe1Jk，其中 0彡χ彡1、0彡y彡1且k约2的Cu、In、Ga、Se和S化合物已经用于生产接近20%转化 率的太阳能电池结构。含有IIIA族元素Al和/或VIA族元素Te的吸收材料也显示出应 用的前景。因此，总之，含有i) 本文档来自技高网...

【技术保护点】
在基底上生长ⅠＢⅢＡⅥＡ族半导体层的方法，包括；在基底上沉积ⅠＢ族材料薄膜和至少一层ⅢＡ族材料；相互混合ⅠＢ族材料薄膜和至少一层ⅢＡ族材料以形成相互混合的层；和在相互混合的层上形成包括至少一层ⅢＡ族材料亚层和ⅠＢ族材料亚层的金属薄膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：BM巴索，
申请(专利权)人：索罗能源公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]