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本发明涉及用于太阳能电池制造的沉积半导体薄层的技术和装置，其以不同实施方式有利地提供低成本沉积技术以形成高质量、致密、良好粘附的并具有宏观尺度和微观尺度组成均匀的ＩＢＩＩＩＡＶＩＡ化合物薄膜。在一个实施方式中，提供在基底上生长ＩＢＩＩＩＡＶ...
该专利属于索罗能源公司所有，仅供学习研究参考，未经过索罗能源公司授权不得商用。

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