IB/IIIA/VIA族薄膜太阳能吸收器的镀覆化学物制造技术

本发明专利技术提供用于形成IBIIIAIVA族太阳能电池吸收器层的方法和前体结构。该方法包括通过如下方式在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层：通过电沉积三个不同膜以在基底上形成前体层和随后使所述前体层与硒反应从而在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层。表述为前体层的三个膜在第一实施方案中包括包含铜、铟和镓的第一合金膜、在第一合金膜上形成的包含铜和硒的第二合金膜；和在第二合金膜上形成的硒膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·阿克苏，J·王，M·皮纳巴斯，
申请(专利权)人：索罗能源公司，
类型：
国别省市：