【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体发光二极管("LED")的制造和组装(packaging)。
技术介绍
LED是当电流在其中通过时发光的半导体器件。形式最简单的发光二极管包括形 成p-n结二极管的p型部分和n型部分。当被安装在引线框架上并被封入封装剂(一般是 聚合物)中时,整个LED组件(package)也被称为"灯"。 由于LED可靠性高、寿命长且一般成本较低,因此在许多应用领域中的各种发光 应用中得到广泛认可。 LED灯极其牢固。它们一般不包含玻璃并完全避免使用灯丝。结果,LED灯可以承 受程度远高于白炽灯的不当使用,且它们的较高的可靠性可以大大降低或消除许多维护因 素和成本。 LED灯可以具有极高的效率,例如,其在发光与白炽灯相同时仅消耗10 %的电力。 许多LED具有100000小时的使用寿命,即相当于连续使用超过11年。因此,从统计的观点, 大多数LED只要通过了首次测试(一般作为生产过程的一部分)就不会失效。在用于诸如 接近爆炸性气体或液体的异常或困难环境中时,LED灯性能更显优异。虽然对于各特定的 应用仍然必须对单个光源的选择(固态光源对白炽灯或荧光灯)进行 ...
【技术保护点】
一种发光二极管,包括: 在引线框架上的发光二极管; 所述二极管包含: Ⅲ族氮化物的第一外延层,所述外延层具有第一导电类型; 所述第一外延层上的Ⅲ族氮化物的第二外延层,所述第二外延层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并与所述第一外延层之间形成p-n结; 与所述Ⅲ族氮化物的第二外延层接触的欧姆触点,位于所述Ⅲ族氮化物的第二外延层和所述引线框架之间,用来提供从所述引线框架到所述Ⅲ族氮化物的第二外延层的电接触;以及 在所述第一外延层上并围绕所述第二外延层的Ⅲ族氮化物隔离区,所述Ⅲ族氮化物隔离区具有比所述第二外延层更高的电阻率,以用于把所述p ...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴毅锋,杰拉尔德H尼格利,小戴维B斯赖特,瓦莱瑞F特斯维特科夫,亚历山大苏沃拉夫,
申请(专利权)人:克里公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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