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本发明涉及通过离子注入进行隔离的发光二极管，其包括：在引线框架上的发光二极管；该二极管包含：ＩＩＩ族氮化物的第一外延层，该外延层具有第一导电类型；第一外延层上的ＩＩＩ族氮化物的第二外延层，第二外延层具有与第一导电类型相反的第二导电类型并与第...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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