温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及太阳能电池技术，特别涉及一种化合物半导体薄膜单结铜铟镓硫ＣｕＩｎＧａＳ↓［２］太阳电池技术，其特征在于；它是依次在玻璃，不锈钢板，特制塑胶板衬底１，上，电镀钼Ｍｏ或钛Ｔｅ层作电极２，然后再应用多靶濺射沉积法在衬底１，上先濺射铜...
该专利属于郭君涛所有，仅供学习研究参考，未经过郭君涛授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。