用于分子诊断学中的探测的光二极管制造技术

公开了一种光二极管（２００），例如ＰＮ或ＰＩＮ光二极管。光二极管接收具有第一和第二谱分布的入射辐射，其中，第一谱分布从第二谱分布发生了谱移。光二极管具有第一半导体层（２１１），第一半导体层（２１１）能够吸收具有第一谱分布的入射辐射（２３１）而不产生光电流，并同时透射具有第二谱分布的入射辐射到本征层（２１２）中用于产生光电流（２１３）。可以与探测目标分子的存在来结合使用光二极管，该目标分子标记有诸如荧光团或量子点的标记剂。标记剂的特征在于斯托克斯位移，并且因此它们发射具有第二谱分布的荧光辐射，第二谱分布从具有第一谱分布的照明辐射发生了谱移。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光二极管，并且尤其涉及用于分子诊断学中的探测的光二极管。
技术介绍
通过利用光束照明生物样品并探测散射的光，能够分析生物样品。为了能够探测存在还是不存在特定的生物样品的生物标本或分子，荧光方法是有用的，生物标本或分子例如为DNA、RNA、细胞和抗体。荧光方法利用能够结合到生物样品的分子的特定位置的标记剂。当利用光束照明样品时，标记剂将发射波长与照明束的波长不同的光。通过利用要分析的样品中的特定的目标分子键合到对应的探针分子的能力，能够确定存在还是不存在特定的目标分子，探针分子例如是存在于探测系统中的。例如，如果利用标记剂来标记目标分子，并且如果目标分子随后结合到探针分子，则如果探测到荧光，就能够证实存在目标分子。该目标-探针分子对的范例是抗体-抗原、细胞-抗体组合和受体-配体对。另外的范例包括例如DNA-DNA对、RNA-RNA对以及DNA-RNA混合物的键合或杂交。为了探测从标记剂发射的光，探测系统必需能够探测源自标记的试剂的发射的辐射的具有特定波长的辐射。这是个问题，因为生物样品发射的光典型地具有照明光和从标记剂发射的光的波长。因此，能够在照明光和从标记剂发射的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光二极管（２００，５００），其包括：　－掺杂有第一杂质的第一半导体层（２１１，５１１），所述第一半导体层适于接收入射辐射（２３１，２３２），所述入射辐射具有中心波长至少为３５０ｎｍ的谱分布；　－掺杂有第二杂质的第二半导体层（ ２１３，５１３）；　－第三半导体区（２１２，５１２），当利用所述入射辐射（２３１，２３２）的至少部分来激发所述第三半导体区时，其能够产生自由电子（２４１，５４１）和自由空穴（２４２，５４２），其中　－所述入射辐射（２３１，２３２ ）包括具有第一谱分布和第二谱分布的辐射，其中，所述第一谱分布从所述第二谱分布发生了谱移；　－所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2006-7-21 06117619.41、一种光二极管(200，500)，其包括：-掺杂有第一杂质的第一半导体层(211，511)，所述第一半导体层适于接收入射辐射(231，232)，所述入射辐射具有中心波长至少为350nm的谱分布；-掺杂有第二杂质的第二半导体层(213，513)；-第三半导体区(212，512)，当利用所述入射辐射(231，232)的至少部分来激发所述第三半导体区时，其能够产生自由电子(241，541)和自由空穴(242，542)，其中-所述入射辐射(231，232)包括具有第一谱分布和第二谱分布的辐射，其中，所述第一谱分布从所述第二谱分布发生了谱移；-所述第一半导体层(211，511)能够吸收具有所述第一谱分布的入射辐射(231)，其中，对具有所述第一谱分布的辐射的所述吸收对光电流(213)没有显著贡献；-所述第一半导体层(211，511)能够透射具有所述第二谱分布的所述入射辐射(232)；以及-由具有所述第二谱分布的辐射产生的所述第三半导体区(212，512)中的所述自由电子(241，541)和自由空穴(242，542)产生光电流(213)。2、根据权利要求1所述的光二极管，其中，所述第一半导体层(211，511)具有厚度，所述厚度适于使具有所述第一谱分布的所述辐射在所述第一半导体层的体积内被吸收。3、根据权利要求2所述的光二极管，其中，所述第一半导体层(211，511)的所述厚度大于100nm，优选地大于200nm或更优选地大于300nm。4、根据权利要求1所述的光二极管，其中，所述第一半导体层(211，511)能够吸收具有所述第一谱分布的所述入射辐射(231)的至少80％，优选地至少90％或更优选地至少99％。5、根据权利要求1所述的光二极管，其中，所述第三半导体区(212，512)是安置于所述第一半导体层(511)和所述第二半导体层(513)之间的本征半导体材料的第三层(512)。6、根据权利要求1或5所述的光二极管，其中，-所述第一半导体层(211，511)是掺杂有受主杂质的p掺杂层；以及-所述第二半导体层(213，513)是掺杂有施主杂质的n掺杂层。7、根据权利要求1或5所述的光二极管，其中，-所述第一半导体层(211，511)是掺杂有施主杂质的n掺杂层；以及-所述第二半导体层(213，513)是掺杂有受主杂质的p掺杂层。8、根据权利要求1或5所述的光二极管，其中，所述第一谱分布和所述第二谱分布之间的所述谱移是至少50nm，优选地至少100nm，或更优选地至少200nm。9、根据权利要求8所述的光二极管，其中，所述第一谱分布和所述第二谱分布之间的所述谱移由量子点引起。10、根据权利要求1或5所述的光二极管，其中，所述第一半导体层(211，511)和/或所述第二半导体层(213，513)由选自包括下述材料的组中的材料制成：a-Si、a-SiC、微晶Si以及低温多晶Si。11、根据权利要求1或5所述的光二极管，其中，在所述第一半导体层(211，511)的顶面(214)上施加抗反射涂层(245)。12、一种探测装置(600)，其能...

【专利技术属性】
技术研发人员：PJ范德扎格，I弗伦奇，ND扬，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]