单粒子翻转测试电路及方法技术

一种方法，包括：将初始数据样式输入到集成电路器件的扫描链电路中；在利用时钟信号驱动扫描链电路的同时向集成电路器件施加粒子束以生成输出数据样式；以及基于输出数据样式和初始数据样式之间的比较来生成单粒子翻转差错率测试结果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
高能量亚原子粒子有时候会撞击集成电路(IC)器件并且引起干扰。当高能粒子撞击ic芯片时，它可能使电路内的原子电离，从而导致发生 单粒子效应(single event effect)。存在若干类可能发生的单粒子效应。较 严重的效应包括单粒子烧毁(single event burnout)和单粒子闭锁(single event latchup)。不那么严重的一类单粒子效应是单粒子翻转(single event upset, SEU) 。 SEU是由电离的粒子引起的状态改变或穿过IC器件的瞬 时脉冲。SEU或者表现为反转时序逻辑组件(例如存储器或触发器)的状 态(这通常被称为"比特反转")，或者表现为在电路中引入瞬时脉冲， 该瞬时脉冲暂时改变经过组合逻辑的值。SEU —般不会永久地影响器件， 在SEU发生之后器件将会继续正常工作，但是数据可能遭到了破坏。SEU 和其他单粒子效应在没有地球大气针对宇宙辐射而进行的保护的外层空间 中是很常见的。因此，在外层空间中使用的IC器件必须被特别设计以限 制该问题。在地球上，大多数可能引起SEU的高能粒子都被大气所阻挡。 但是，高能中子经常能够成功本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：　将初始数据样式输入到集成电路器件的扫描链电路中；　在利用时钟信号驱动所述扫描链电路的同时向所述集成电路器件施加粒子束以生成输出数据样式；以及　基于所述输出数据样式和所述初始数据样式之间的比较来生成单粒子翻 转差错率测试结果。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：荪寿钟，
申请(专利权)人：思科技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]