【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电平移位电路领域,具体的,涉及一种可耐高电压的电平移位电路。
技术介绍
随着集成电路工艺技术的高速发展,现在已经进入28nm等深亚微米的水平,在这样的先进工艺下,器件的工作电压越来越低,器件能承受的电压也越来越低。例如在这样的先进工艺下,器件能承受的电压VDD为1.8V,过高的电压将会使器件受损甚至毁坏。而很多接口信号的电压可能仍然保持3.3V或者更高的电压。因此,在器件能承受的电压VDD为1.8V的条件下,当设计的电路需要工作在3.3V或者2VDD电压时,需要考虑器件耐压保护的问题。针对此,已有一些解决耐压问题的实现方案,如图1所示,输入信号Vin1先经过nativeNMOS管NN1,NMOS管NN1的栅极接入固定电平VDD,Vin1经过NMOS管NN1之后得到的电压Vo1将不超过VDD。因此,将幅值为2VDD的数字信号通过这样的方式转化为1VDD幅值的数字信号,再输送至后级电路进行处理,从而达到保护后级电路的效果。但是,现有技术存在的缺点如下:1、当幅值为2VDD的输入信号上升沿和下降沿很缓时,会造成比较大的占空比失真。因为,输入信号经过nat ...
【技术保护点】
电平移位电路,其特征在于:包括施密特触发器、限幅电路以及反相电路,所述施密特触发器接收电压信号输入端的输入信号,所述施密特触发器向所述限幅电路发送方波信号,所述限幅电路将进行幅度限制后的所述方波信号发送至所述反相电路,所述反相电路输出的信号与所述输入信号同相。
【技术特征摘要】
1.电平移位电路,其特征在于:包括施密特触发器、限幅电路以及反相电路,所述施密特触发器接收电压信号输入端的输入信号,所述施密特触发器向所述限幅电路发送方波信号,所述限幅电路将进行幅度限制后的所述方波信号发送至所述反相电路,所述反相电路输出的信号与所述输入信号同相。2.根据权利要求1所述的电平移位电路,其特征在于:所述施密特触发器包括传输高电压模块、传输低电压模块以及翻转电路,所述传输高电压模块的输入端和所述传输低电压模块的输入端分别与所述电压信号输入端电连接;所述传输高电压模块的输出端向所述翻转电路发送高电压信号,所述传输低电压模块的输出端向所述翻转电路发送低电压信号;所述翻转电路根据所述高电压信号和所述低电压信号输出所述方波信号。3.根据权利要求2所述的电平移位电路,其特征在于:所述施密特触发器还包括第一反馈电路和第二反馈电路,所述第一反馈电路向所述翻转电路发送第一反馈信号,所述第二反馈电路向所述翻转电路发送第二反馈信号,所述翻转电路根据所述第一反馈信号和所述第二反馈信号输出所述方波信号。4.根据权利要求2所述的电平移位电路,其特征在于:所述施密特触发器还包括第三反馈电路,所述第三反馈电路向所述翻转电路发送第三反馈信号,所述翻转电路根据所述第三反馈信号输出所述方...
【专利技术属性】
技术研发人员:李天柱,
申请(专利权)人:珠海全志科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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