半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置，所述半导体装置由高度ｎ掺杂的硅衬底（１）以及第一ｎ硅外延层（２２）组成，所述第一ｎ硅外延层（２２）直接连接在所述高度ｎ掺杂的硅衬底（１）上，所述半导体装置具有掺杂的ＳｉＧｅ层（３），所述ｐ掺杂的ＳｉＧｅ层（３）连接在第二ｎ掺杂的硅外延层（１２）上并且形成一异质结二极管，所述异质结二极管位于所述第一ｎ掺杂的硅外延层（２２）的上方并且其中ｐｎ结位于所述ｐ掺杂的ＳｉＧｅ层（３）内部。在此，与所述第二ｎ硅外延层（１２）相比，所述第一ｎ硅外延层（２２）具有更高的掺杂浓度。至少一个ｐ掺杂的发射极槽（９）位于所述两个ｎ掺杂的外延层之间并且形成埋入的发射极，其中，既在所述第一ｎ掺杂的硅外延层（２２）处构成ｐｎ结又在所述第二ｎ掺杂的硅外延层（１２）处构成ｐｎ结，其中，所述至少一个发射极槽（９）被所述两个外延层完全包围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】现有技术本专利技术涉及一种具有异质结和埋入的发射极的二极管，该二极管尤其适合作Z 二极管应用于机动车发电机系统中。根据应用场合将击穿电压设计在约20V或40V上，由此 可以使用在14V或28V的车载电源中。在当今的机动车中，越来越多的功能通过电部件实现。由此产生了对电功率的日 益增大的需求。为了满足此需求，必须提高机动车中的发电机系统的效率。迄今为止，在机 动车发电机系统中通常使用硅二极管作为Z二极管。成本有利的硅二极管的优点在于它的 小反向电流和它的高鲁棒性。硅二极管的缺点在于相对较高的导通电压VF。在室温下，电流在VF = 0. 7V时才 开始流动。在普通的运行条件下，例如在500A/cm2的电流密度下，VF上升直至超过IV。此 导通损耗显著降低了发电机的效率。硅二极管的另一缺点在于击穿电压的正的温度系数。硅二极管的击穿电压是由雪崩生成确定的并且随着温度的升高而增大。如果Z 二 极管被设置用于限制车载电源电压，则因此在高环境温度和特殊的运行条件(负载突降) 下也许不再能够确保保护功能。车载电源中的电压随后短时间地上升超过最大允许值并且 导致从车载电源获得其供电电压的电子部件的损坏。本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体装置，所述半导体装置由一高度ｎ掺杂的硅衬底（１）以及一第一ｎ硅外延层（２２）组成，所述第一ｎ硅外延层（２２）直接连接在所述高度ｎ掺杂的硅衬底（１）上，所述半导体装置具有一ｐ掺杂的ＳｉＧｅ层（３），所述ｐ掺杂的ＳｉＧｅ层（３）连接在一第二ｎ掺杂的硅外延层（１２）上并且形成一异质结二极管，所述异质结二极管位于所述第一ｎ掺杂的硅外延层（２２）的上方并且其中ｐｎ结位于所述ｐ掺杂的ＳｉＧｅ层（３）内部，其中，与所述第二ｎ硅外延层（１２）相比，所述第一ｎ硅外延层（２２）具有更高的掺杂浓度，其中，至少一个ｐ掺杂的发射极槽（９）位于所述两个ｎ掺杂的外延层之间并且形成一埋入的发射极，其中，既在所述第一ｎ掺...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：N曲，A格拉赫，
申请(专利权)人：罗伯特博世有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]