一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路制造技术

本发明专利技术提供一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路，其利用迟滞比较器可以实现在过流下，关闭驱动，当电流减小到规定数值时，恢复驱动，实现自动保护功能。在过流时，本发明专利技术利用迟滞比较器，合理设置窗口空间可以使绝缘栅双极型晶体管过流保护后，电流下降到一定数值时，绝缘栅双极型晶体管驱动恢复正常，设备恢复正常工作，而且电路具备一定的抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种绝缘栅双极型晶体管自恢复电路，尤其涉及一种绝缘栅双极型晶 体管过流保护自恢复电路。
技术介绍
由于IGBT (绝缘栅双极型晶体管)，主要使用在高压大电流等场合，因此保护功 能非常重要，由于较大的负载电流会引起IGBT内较高的损耗，所以，为了避免超过最大的 允许结温，IGBT的过流范围应该受到限制，常用的过流保护，主要是当过流发生，然后关闭 IGBT驱动实现保护功能，如想恢复，多数复位则只能通过手动复位实现重新工作。集中式过流保护方式，即检测输入端或直流环节的总电流，当此电流超过设定值 后比较器翻转，封锁所有的IGBT驱动器的输入脉冲，使输出电流降为零.分立电流保护电 路，通过触发器时序逻辑电路的记忆功能，构成记忆锁定保护电路，以避免保护电路在过流 时的频繁动作。专利号CN03200451. 6，名称为一种IGBT过流保护电路的专利公开了一种IGBT 过流保护电路，包括主控芯片UC3875、比较器、触发器，其中主控芯片的4个输出端分别接4 个触发脉冲电路，所述触发脉冲电路分别接全控整流-逆变桥中IGBT器件的门极，其特征 在于所述比较器的同向输入端接一个可变电阻，反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路，其特征在于：包括迟滞比较器、与门、光耦、ＮＰＮ晶体管、ＰＮＰ晶体管、Ｚｅｎｅｒ二极管和可调电位器，所述迟滞比较器同相输入端与所述可调电位器可调分压电阻端相连，反相输入端接绝缘栅双极型晶体管集电极电压检测端，所述迟滞比较器输出经过一逻辑所述与门后，与所述光耦输入端相连，所述光耦输出经一电阻电容网络驱动两个所述ＮＰＮ晶体管，所述光耦实现输入与输出信号的电气隔离，绝缘栅双极型晶体管驱动电路采用推挽输出，推挽驱动晶体管上管ＮＰＮ集电极接＋１５Ｖ，其发射极与下管ＰＮＰ发射极相连，发射极同时经一驱动电阻作为绝缘栅双极型晶体管栅极驱动端，下管ＰＮＰ集电极与－８Ｖ相接...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵明宇，
申请(专利权)人：深圳市蓝韵实业有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]