本发明专利技术涉及一种具有２Ｆ４特性的、ＢａＴｉＯ３一ＢａＺｒＯ３一ＣａＺｒＯ３体系的高介电常数陶瓷粉料，其包括第一组分ＢａＴｉＯ３、第二组分ＢａＺｒＯ３、第三组分ＣａＺｒＯ３，及选自ＭｎＣＯ３，ＭｎＯ２，ＺｎＯ，Ｓｍ２Ｏ３，ＣｕＯ，ＣｅＯ２中的一种或两种以上作为第四组分。用该粉料制得的圆片陶瓷电容器各项性能指标均符合２Ｆ４组别的ＧＢ标准，适应了电子产品的小型化技术的发展，介电常数高、符合环保要求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高介电常数陶瓷粉料及利用这种高介电常数粉料所制得的圆片 陶瓷电容器，特别是涉及具有2F4特性的高介电常数陶瓷粉料及利用这种粉料所制得的圆 片陶瓷电容器。
技术介绍
目前，中高压圆片陶瓷电容器广泛应用于中高压电子线路和电力设备，如彩色电 视机、激光器、电力阻断器、微波炉、等电器设备中的电容器，其市场较为广阔。为了适应电 子产品的小型化技术的发展，在保证圆片电容器的适用性和高性能的前提下尽可能提高电 容器的介电常数，以减小圆片电容器的体积，这对电容器的制造工艺和对原材料的选择提 出了较高的要求。目前，国内生产使用的具有2F4特性(所谓2F4特性是指-25°C +85°C， ε/ε 20°C在+22% -82% )的电子陶瓷粉料主要是采用BaTiO3体系的瓷料，但使用的 瓷料最高介电常数小于15000，烧结温度在1320°C以上，耐压特性VDC在54kv/mm，VAC在 2. 5-3kv/mm 左右。上述现有技术的缺点是一是介电常数偏低，电容器稳定性差，耐压特性一般，不 能适应元件小型化的特点。二是瓷料烧结温度偏高，一般在1320°C以上烧结，增加了生产成 本，原因是采用的材料与配方的匹配性以及添加物的种类、数量等造成。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术提供了一种高介电常数陶瓷粉料，该高介电常 数粉料具有2F4特性。另一方面，本专利技术还提供了由上述高介电常数陶瓷粉料制造的圆片陶瓷电容器以 及制备陶瓷电容器的方法。一种高介电常数陶瓷粉料，其包括第一组分BaTiO3、第二组分BdrO3、第三组分 CdrO3，其特征在于还包括总含量占陶瓷粉料重量百分含量为0. 2.0%的第四组分， 第四组分选自MnCO3、MnO2、ZnO, Sm2O3、CuO、CeO2、中的一种或两种以上。进一步来说，所述第一组分BaTiO3占陶瓷粉料重量百分含量的80% 95%，且该 组分中Ba Ti摩尔比的范围为1 0.90 1.10;所述第二组分BdrO3占陶瓷粉料重量 百分含量的4. 5% 15%，且该组分中Ba ^ 摩尔比的范围为1 0. 90 1. 10 ；所述第 三组分CdrO3占陶瓷粉料重量百分含量的0.5% 3.0%，且该组分中Ca ^ 摩尔比的 范围为1 0. 90 1. 10。具体地来说，所述第一组分BaTiO3是把BaC03、TiO2按比例球磨混合均勻后，在 1150 1250°C煅烧2 5小时后获得；所述第二组分BdrO3是把BaC03、ZrO2按比例球磨 混合均勻后，在1150 1250°C煅烧2 5小时后获得；所述第三组分CdrO3是把CaC03、 ZrO2按比例球磨混合均勻后，在1170 1270°C煅烧2 5小时后获得。一种以上述高介电常数陶瓷粉料所制得的陶瓷电容器。3一种如上所述的陶瓷电容器的制备方法，包括以下步骤将所述陶瓷粉料的各组 分湿磨均勻，磨细后干燥，进行干压成型、挤压或扎膜成型制得生坯；然后依次进行排胶、烧 结、超声波清洗；最后进行分选、印银、还原、测试、包封；所述排胶温度是280 40(TC，烧结 温度是1250°C 1290°C，烧结时间为1 3小时。对采用本专利技术上述陶瓷粉体的圆片电容器产品进行测试，其各项技术指标均符合 国标2F4标准，主要特征参数为介电常数(20°C，IkHz):17000 20000介质损耗(20°C，lkHz):< 80Χ1(Γ4绝缘性能> 101°抗电强度:VDC · > 6. Okv/mm, Vac · > 3. 2kv/mm温度特性_25°C +85°CI Δ ε / ε 20°C I 在 +22% -82%烧结特性iTs :1250°C 1290°C从以上可知本专利技术是BaTiO3 — BaZrO3 一 CaZrO3体系的陶瓷粉料，但由于本专利技术 对所用主要原料组分中的摩尔比进行控制，因而产品的性能随着Ba、Ti、Zr、Ca比例的摩尔 比变化而变化，适当的Ba、Ti、&、Ca的摩尔比有利于瓷体烧结性能的改善和瓷体介电常数 的提高，BaTiO3作为主晶相从低成本和工艺成熟考虑比较有利，而且是一种典型的铁电材 料以其为基的铁电材料具有较高的介电常数，现在对BaTiO3W改性多数通过取代置换引起 的效应来提高峰值，加入量达到80% 95%范围时，使瓷料有较高的介电常数和耐压，同 时又有较低的介质损耗，含量过高则难以在本专利技术温度下烧结，过低则难以获得较高的介 电常数。利用第二组份BdrO3控制瓷料的居里温度点移动，有利于抑制温度系数的漂移， 并且ττ能有效地阻止Ti还原且通过置换取代，起到移峰作用，当加入量大于15%时，会使 介电常数直线下降达不到本专利技术要求，少于4. 5%时瓷料恶化出现烧不熟的现象。同时第 三组份CdrO3主要是起到展宽峰值的作用，随着其含量在本专利技术的范围内可获得优良的 ε-T曲线，如果加入量少于0.5%起不到展宽峰值的作用，大于3.0%介电常数受到压制而 变得降低。本专利技术通过加入第四组分来调整瓷料的温度系数和烧结温度，使瓷料的温度特 性符合2F4特性。其中ZnO是典型的晶粒成长阻滞剂，它的加入不能移动居里点，但能有效 控制晶粒生长速度，有利于促进陶瓷的致密性，达到提高陶瓷介质抗电强度的目的。CuO主 要起烧结促进和低温烧结剂的作用，能够减缓粒界的移动，抑制晶粒的二次生长。MnCO3或 MnO2W加入起到对瓷料的烧结成色稳定作用，更重要还可以调节居里点，使其介电常数提 高。Sm2O3的加入也有效地改善烧结，使瓷体具有均勻的晶格，有助耐电强度提高。&02对 钛酸钡陶瓷的晶粒生长有较大的抑制作用来减小介电常数温度变化率。当中第四组份的总 加入量在0. 1% -2. 0%较为合适，见表1。所以利用本专利技术陶瓷粉料制得的电容器介电常 数提高到17000 < K < 20000，而且直流(交流)耐压特性也有提高，烧结温度也降低到了 约1250°C 1290°C左右。这样，使用本专利技术瓷料不但适应了电子产品的大容量小型化技术 的发展，耐压特性高，而且降低烧结温度，大大节约生产厂家的生产成本。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术作进一步的说明，但本专利技术的范围并不限于如下实施方 式。具体实施例方式本专利技术是采用BaTiO3 — BaZrO3 一 CaZrO3体系，然后通过加入第四组份改性添加 剂来调节瓷料的性能、采用常规的工艺制成所需瓷料，得到一种符合2F4瓷介特性、高介电 常数的环保型介质材料，下面结合实施例对本专利技术的内容作进一步详述.选取电子级的BaCO3> TiO2, ZrO2, CaCO3 作为原材料，将 BaCO3> TiO2 按 1 0. 9 1.1(如本例中按1 1)比例称重，将物料置于球磨机中进行湿式混合均勻，随后在空气中 以1150 1250°C的温度锻烧1 3小时，从而获得第一组分BaTi03。将BaCO3 JrO2，按1 0. 9 1. 1 (如本例中按1 1)比例称重，将物料置于球磨 机中进行湿式混合均勻，随后在空气中以1150 1250°C的温度锻烧1 3小时，从而获得 第二组分Ba^O3。将CaCO3> ZrO2按1 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高介电常数陶瓷粉料，其包括第一组分ＢａＴｉＯ↓［３］、第二组分ＢａＺｒＯ↓［３］、第三组分ＣａＺｒＯ↓［３］，其特征在于：还包括总含量占陶瓷粉料重量百分含量为０．１％～２．０％的第四组分，第四组分选自ＭｎＣＯ↓［３］、ＭｎＯ↓［２］、ＺｎＯ、Ｓｍ↓［２］Ｏ↓［３］、ＣｕＯ、ＣｅＯ↓［２］、中的一种或两种以上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董水友，宋永生，王孝国，唐洪涛，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]
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