用于太阳能电池表面ＲＩＥ制绒的硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池表面制绒技术领域，特别是一种用于太阳能电池表面ＲＩＥ制绒的硅片，包括硅基材，在硅基材的表面具有一层光刻胶，在光刻胶上具有通过光刻的方法形成的密布的制绒窗口。通过对该硅片进行反应离子刻蚀可以获得更加规则的绒面结构，制作出低反射率的太阳能电池，提高发电效率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池表面制绒
，特别是一种用于太阳能电池表 面RIE制绒的硅片。
技术介绍
太阳能电池制造工艺流程中，表面绒面的处理是非常重要的一步，它直接决定 了太阳能电池对太阳光的吸收，好的绒面不仅能够让电池吸收更多的太阳光，也可以降 低太阳能组件封装时的衰减，因此好的制绒技术会对电池效率的提升起到重大作用。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种用于太阳能电池表面RIE制绒的 硅片，通过对硅片进行反应离子刻蚀可以获得更加规则的绒面结构。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种用于太阳能电池表面 RIE制绒的硅片，包括硅基材，在硅基材的表面具有一层光刻胶，在光刻胶上具有通过光 刻的方法形成的密布的制绒窗口。制绒窗口为圆形，直径lum。本技术光刻掩膜技术有别与其他光刻掩膜技术的关键是，直接使用光刻胶 作为掩膜层而不需要另外制备掩膜层，简化了工艺步骤，降低了生产成本。本技术的有益效果是通过对硅片进行反应离子刻蚀可以获得更加规则的 绒面结构，制作出低反射率的太阳能电池，提高发电效率。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明；附图说明图1是光刻胶的光刻版图；图2是光刻胶覆盖在硅基材上的结构示意图；图3是光刻胶光刻后成为RIE制绒掩膜的结构示意图；其中1.硅基材2.光刻胶，3.制绒窗口。具体实施方式如图3所示，一种用于太阳能电池表面RIE制绒的硅片，包括硅基材1，在硅基 材1的表面具有一层光刻胶2，在光刻胶2上具有通过光刻的方法形成的密布的制绒窗口 3。制绒窗口 3为圆形，直径lum。光刻胶2作为RIE制绒的掩膜层。如图1、2和3所示，在硅基材1上先涂一层光刻胶2，再采用光刻技术把光刻版 图刻在光刻胶2上，最后进行RIE制绒，对硅片进行刻蚀。RIE制绒即反应离子刻蚀制绒，工艺 过程如下硅片去损伤层，光刻掩膜，RIE 制绒。完成制绒的硅片进行扩散，边缘刻蚀，去PSG，PECVD,丝网印刷，烧结，测试等步骤最终成为成品。去损伤层工艺为传统工艺，可以采用酸去损伤层或碱去损伤层。光刻掩膜为半导体光刻技术在硅片表面形成有规则的图形，为各向同性RIE制 绒准备掩膜层。RIE制绒是形成绒面的重要步骤，采用SF6和02或CL2进行各向同性的刻蚀，在掩膜层的基础上可以刻蚀出具有规则形状的绒面结构。后续，扩散，边缘刻蚀，PECVD，丝网印刷，烧结，测试等工艺为太阳能电池生产正常工艺。所述的硅片为P型或N型等任何可以作为太阳能电池生产的硅片，电阻率为 0.2-30 Ω cm。通过光刻掩膜和RIE腐蚀工艺，可以制作出低反射率的表面限光结构；由于先 期损伤层的去除可以在进行RIE制绒时，尽可能少的腐蚀硅片，随着现在切片技术的发 展，硅片切片越来越薄，这种低腐蚀深度，高质量的绒面可以降低碎片，提高产品成品 率；由于RIE制绒的绒面结构小，采用此工艺制作的电池片在组件封装时与EVA的结合 更加紧密；通过以上三点的作用，光刻RIE制绒不仅有利于电池效率的提升，尤其是多 晶电池的发展，还有利于降低组件的封装损失。权利要求1.一种用于太阳能电池表面RIE制绒的硅片，包括硅基材(1)，其特征是在所述的 硅基材(1)的表面具有一层光刻胶(2)，在光刻胶(2)上具有通过光刻的方法形成的密布 的制绒窗口(3)。2.根据权利要求1所述的用于太阳能电池表面RIE制绒的硅片，其特征是所述的制 绒窗口(3)为圆形，直径lum。专利摘要本技术涉及太阳能电池表面制绒
，特别是一种用于太阳能电池表面RIE制绒的硅片，包括硅基材，在硅基材的表面具有一层光刻胶，在光刻胶上具有通过光刻的方法形成的密布的制绒窗口。通过对该硅片进行反应离子刻蚀可以获得更加规则的绒面结构，制作出低反射率的太阳能电池，提高发电效率。文档编号H01L31/0352GK201796900SQ20102054840公开日2011年4月13日 申请日期2010年9月29日 优先权日2010年9月29日专利技术者陈亮 申请人:常州天合光能有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于太阳能电池表面ＲＩＥ制绒的硅片，包括硅基材（１），其特征是：在所述的硅基材（１）的表面具有一层光刻胶（２），在光刻胶（２）上具有通过光刻的方法形成的密布的制绒窗口（３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32