制备铜铟镓硒系列薄膜太阳电池光吸收层的硒化装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种制备铜铟镓硒系列薄膜太阳电池光吸收层的硒化装置，包括反应腔体；反应腔体中有石英舟、基片加热器和两者之间的基片支架；连接在反应腔体上的抽真空系统；石英舟下方的加热炉，反应腔体外部有一个通过阀门与反应腔体连为一体的转换腔体；可在两腔体之间内部移动的磁力拉杆；石英舟外围有一个高度低于基片支架的导向桶。本实用新型专利技术由于采用两个腔体，保证了基片升降温度的控制，减少了吸收层杂相的产生；采用导向桶加热带，保证了反应物的充分反应，减少了反应物的用量；采用密集卤钨灯对基片加热，保证了基片的加热均匀，提高了电池的性能和重复性。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于铜铟镓硒系列薄膜太阳电池制作
，尤其涉及一种制备铜 铟镓硒系列薄膜太阳电池光吸收层的硒化装置。
技术介绍
铜铟镓硒系列薄膜太阳电池包括铜铟镓硒CIGS、铜铟镓硫CIGS、铜铟镓硒硫 CIGSS薄膜太阳电池，其基本结构是基底/金属背电极/光吸收层/缓冲层/窗口层/透 明电极层/金属栅状电极/减反射层，其中光吸收层对太阳电池性能起着决定性的作用。铜 铟镓硒系列薄膜太阳电池光吸收层的制作过程是先采用真空磁控溅射的方法在刚性或柔 性衬底上溅射过渡层Cr，在过渡层上溅射下电极Mo层，在Mo层上根据化学式配比量分别沉 积Cu、In, Ga形成基片，然后在真空反应室内对基片进行硒化反应，即制成铜铟镓硒系列薄 膜太阳电池的光吸收层。目前公知的制备铜铟镓硒系列薄膜太阳电池光吸收层用基片硒化反应的方式为 溅射后硒化法，主要硒化氢硒化和固态源硒化。硒化氢硒化制备的铜铟镓硒系列薄膜太阳 电池吸收层，能够提高电池的性能，但由于硒化氢是剧毒，对设备要求比较高，实际操控难 度很大；固态源硒化的方式，其反应物不易控制，升降温不易控制，最终导致电池的重复性 不能保证。申请号为20081015467本文档来自技高网...

【技术保护点】
制备铜铟镓硒系列薄膜太阳电池光吸收层的硒化装置，包括反应腔体；反应腔体中有石英舟、基片加热器和两者之间的基片支架；连接在反应腔体上的抽真空系统；石英舟下方的加热炉，其特征在于：反应腔体外部有一个通过阀门与反应腔体连为一体的转换腔体；可在两腔体之间内部移动的磁力拉杆；石英舟外围有一个高度低于基片支架的导向桶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵彦民，刘兴江，方小红，王庆华，冯金晖，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：实用新型
国别省市：12[中国|天津]