阵列式片状电阻器制造技术

本发明专利技术提供了一种阵列式片状电阻器，包括：基板，具有以相等的间隔形成在其两侧上的多个凹槽；下部电极，形成在基板底表面的两侧上；上部电极，形成在基板顶表面的两侧上；侧部电极，电连接至上部电极和下部电极；电阻元件，介于基板底表面的下部电极之间；保护层，覆盖在电阻元件上，该保护层的两侧均覆盖下部电极的一部分和电阻元件；整平电极，与暴露于保护层外部的下部电极相接触；以及镀层，形成在整平电极上。该阵列式片状电阻器可防止电阻元件在安装时由于外部撞击而损坏，因为电阻元件印刷在基板底表面的下部电极内部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阵列式片状电阻器，更具体地，涉及这样一种阵列式片状电阻 器，其中电阻器元件设置在基板下面，从而可防止电阻器元件由于外部撞击而损坏。
技术介绍
一般来说，片状电阻器是指通过将多个电阻器安装到一个本体中以增加电子产 品的集成度而制成的半导体封装件型的电阻器。这样的片状电阻器通常安装在半导体模块上。个人电脑(PC)和服务器的尺寸变 得越来越小，但在减小安装在PC或服务器上的半导体模块(例如，存储器模块)的尺寸 方面却存在限制。因此，已使用整体地构造有多个电阻元件以增加其集成度的阵列式片状电阻器 作为安装在存储器模块上的片状电阻器。阵列式片状电阻器已主要用于减少其上安装有存储器模块的半导体封装件中反 射的信号波的噪音。然而，已指出，传统的片状电阻器安装在印刷电路板上时具有由于 外部环境而导致的多种质量问题。也就是说，传统的片状电阻器包括基板、形成在基板顶表面上的电阻元件、连 接至电阻元件并从顶表面延伸至其侧表面和顶表面的外部电极。在这种情况下，当将片 状电阻器安装在PCB上时，使用由导线端子制成的外部电极作为电连接装置。当将传统的片状电阻器安装在PCB上或移动以便进行安装时，由于工人的粗心 而导致的外部撞击，使得具有损坏基板及其边角的问题。而且，在安装过程中当外部撞 击施加于基板顶表面上暴露的电阻元件时，电阻元件可能损坏。在传统的片状电阻器中，由于外部摩擦或片状电阻器之间的接触，可能发生刮 擦现象，这会剥落外部电极的印刷在其侧表面上的涂层材料。而且，当进行焊接以安装 片状电阻器时，由于刮擦现象，还可能在电极之间发生短路。同时，在形成连接至电阻元件的上部电极时，每个电极之间形成有支承层 (bearing layer),以防止由于片状电阻器中的外部电极的刮擦而导致的电极短路。然而， 支承层不足以防止电极短路。
技术实现思路
为了克服上述问题而提出了本专利技术，因此本专利技术的一个目的是提供一种阵列式 片状电阻器，其中，电阻元件设置在基板下面，从而在安装电阻元件时可防止电阻元件 暴露在外面，这导致防止电阻元件由于外部撞击而损坏。4此外，本专利技术的另一个目的是提供一种阵列式片状电阻器，该阵列式片状电阻 器可通过允许暴露于基板外的上部电极具有最小尺寸而防止由于刮擦而发生短路。根据本专利技术的一个方面，为了实现该目的，提供了一种阵列式片状电阻器，包 括基板，具有以相等的间隔形成在其两侧上的多个凹槽；下部电极，形成在基板底表 面的两侧上；上部电极，形成在基板顶表面的两侧上；侧部电极，电连接至上部电极和 下部电极；电阻元件，介于基板底表面的下部电极之间；保护层，覆盖在电阻元件上， 该保护层的两侧均覆盖下部电极的一部分和电阻元件；整平电极(leveling electrode)，与 暴露于保护层外的下部电极相接触；以及镀层，形成在整平电极上。优选地，基板可形成为长方体形状，并且基板由通过铝的表面阳极化过程而绝 缘的氧化铝材料制成，并扮演热扩散路径的角色，由电阻元件120产生的热量通过该热 扩散路径散发到外部。另外，优选地，下部电极和上部及侧部电极形成在基板两侧上形成有多个凹槽 的部分上。另外，保护层可由硅材料或玻璃材料制成，并且保护层一直覆盖到暴露于电阻 元件两侧的下部电极内部的一部分。在该例子中，在电阻元件覆盖保护层之后，通过用激光修整电阻元件的一部分 而形成的凹槽可形成为实现精确的电阻值。优选地，整平电极是用于使得有效区域被保护层减小的下部电极具有扩展的有 效区域的电极，并且整平电极形成在暴露于保护层外部的下部电极上。另外，镀层执行以下功能保护下部电极；以及通过在整平电极上生长Ni-Sn 镀层以使其可暴露于片状电阻器外部而形成外部电极。另外，片状电阻器可进一步包括覆盖保护层外部的绝缘层，并且该绝缘层由聚 合物制成并最终保护电阻元件。而且，当形成用于形成外部电极的镀层时，该绝缘层防 止电镀液渗入到电阻元件。在该例子中，优选地，镀层形成为具有的高度高于绝缘层的高度。另外，基板具有形成在除形成有上部电极的一部分之外的所有顶表面上的上部 绝缘层。在该例子中，上部绝缘层覆盖上部电极的一部分，从而使得上部电极的外露最 小化。根据本专利技术的另一个方面，为了实现该目的，提供了一种阵列式片状电阻器， 包括基板，具有以相等的间隔形成在两侧上的多个凹槽；下部电极，形成在基板底表 面的两侧上；侧部电极，电连接至下部电极，该侧部电极一直延伸至基板一个侧表面的 一部分；电阻元件，介于基板底表面的下部电极之间；保护层，覆盖在电阻元件上，该 保护层的两侧均覆盖下部电极的一部分和电阻元件；整平电极，与暴露于保护层外部的 下部电极相接触；以及镀层，形成在整平电极上。另外，优选地，下部电极、以及从下部电极延伸至基板侧表面的侧部电极形成 在基板两侧上形成有多个凹槽的部分上。另外，侧部电极可沿着形成在基板侧表面上的凹槽形成。优选地，侧部电极形 成为具有的高度与基板侧表面的高度相比在50%至100%的范围内。附图说明从以下结合附图对实施例的描述中，本专利技术总专利技术构思的这些和/或其它方面 以及优点将变得显而易见且更容易理解，附图中图1是示出了根据本专利技术一个实施例的片状电阻器的横截面图；图2是示出了根据本专利技术一个实施例的片状电阻器的透视图；图3是示出了根据本专利技术一个实施例的片状电阻器的底部透视图；图4和图5分别是根据本专利技术一个实施例的片状电阻器的平面图和后视图；图6是示出子根据本专利技术实施例的片状电阻器安装在主基板上的例子的横截面 图；图7是示出了根据本专利技术另一个实施例的片状电阻器的横截面图；图8是示出了根据本专利技术另一个实施例的片状电阻器的透视图；图9是示出了根据本专利技术另一个实施例的片状电阻器的底部透视图；图10和图11分别是根据本专利技术另一个实施例的片状电阻器的平面图和后视图； 以及图12是示出了根据本专利技术实施例的片状电阻器安装在主基板上的例子的横截面 具体实施例方式将参照附图详细描述根据本专利技术的阵列式片状电阻器。当参照附图进行描述 时，相同或相应的部件用相同的参考标号表示，并将省略其重复描述。图1是示出了根据本专利技术一个实施例的片状电阻器的横截面图。图2是示出了 根据本专利技术一个实施例的片状电阻器的透视图。图3是示出了根据本专利技术一个实施例的 片状电阻器的底部透视图。图4和图5分别是根据本专利技术一个实施例的片状电阻器的平 面图和后视图。如图中所示，根据本专利技术一个实施例的片状电阻器100包括基板110，具有形 成在其两个侧表面上的多个凹槽；电阻元件120，形成在基板110底表面上；以及多个下 部电极130，电连接至电阻元件120。基板110可形成为类似长方体的薄板状，并且基板可由通过铝的表面阳极化过 程而绝缘的氧化铝材料制成。而且，由于基板110由具有卓越导热性的材料制成，因此 基板110用作热扩散路径，由电阻元件120产生的热量在片状电阻器100的表面安装时通 过该热扩散路径散发到外部。以预定间隔设置的多个下部电极130形成在基板110底表面的两侧上。由作为 其主要成分的RuO构成的电阻元件120印刷在下部电极130内侧的基板110底表面的中 央部分上。在该例子中，电阻元件120与设置在其外侧上的多个下部电极130彼此电连接。下部电极130可形成在基板110两侧上形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列式片状电阻器，包括：基板，具有以相等的间隔形成在其两侧上的多个凹槽；下部电极，形成在所述基板底表面的两侧上；上部电极，形成在所述基板顶表面的两侧上；侧部电极，电连接至所述上部和下部电极；电阻元件，介于所述基板底表面的下部电极之间；保护层，覆盖在所述电阻元件上，所述保护层的两侧均覆盖所述下部电极的一部分和所述电阻元件；整平电极，与暴露于所述保护层外部的下部电极相接触；以及镀层，形成在所述整平电极上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柳兴馥，朴章皓，金荣基，徐起元，崔允甲，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR